【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，尤其涉及一种沟渠式。
技术介绍
在功率半导体组件中，金氧半场效晶体管(M0SFET)具有高切换速度、低开关损 耗、低驱动损耗的特性，广泛被应用于高频功率转换。不过，随着功率半导体组件所需承受 的电压值提高，导通电阻会随之迅速增长，而导致导通损耗的比例大幅提高，使其应用受到 极大的限制。 如图1与图1A所示，传统的高压金氧半场效晶体管的导通电阻(RDS(on))主要是 由漂移区(drift zone)的电阻值(包括Rch、Ra、与R印i)决定。又，此金氧半场效晶体管 的电压阻断(voltage blocking)能力主要是由漂移区的距离与掺杂浓度决定。为了提高 电压阻断的能力，必须提高外延层的厚度并降低其掺杂浓度，然而，却会导致导通电阻值不 成比例的提高。 不同耐压的金氧半场效晶体管，其导通电阻中各部分所占的比例也各有不同。如 图中所示，对耐压30V的金氧半场效晶体管而言，其外延层电阻(R印i)仅为总导通电阻的 29% ;不过，对耐压600V的金氧半场效晶体管而言，外延层电阻(R印i)则是占据总导通电 阻的96. 5%。 为了降低高压金氧半场...
【技术保护点】
一种高压金氧半导体组件，其特征在于，包括：一第一导电型的本体；一导电结构，具有一第一延伸部与一第二延伸部，该第一延伸部由该本体的上表面朝向该本体的内部延伸，该第二延伸部沿着该本体的该上表面延伸；一第二导电型的第一井区，位于该本体内及位于该第二延伸部的下方，该第一井区与该第一延伸部间隔一预设距离；一第一导电型的源极掺杂区，位于该第一井区内；以及一第二导电型的第二井区，位于该本体内，由该第一延伸部的底部延伸至一漏极掺杂区附近。
【技术特征摘要】
一种高压金氧半导体组件，其特征在于，包括一第一导电型的本体；一导电结构，具有一第一延伸部与一第二延伸部，该第一延伸部由该本体的上表面朝向该本体的内部延伸，该第二延伸部沿着该本体的该上表面延伸；一第二导电型的第一井区，位于该本体内及位于该第二延伸部的下方，该第一井区与该第一延伸部间隔一预设距离；一第一导电型的源极掺杂区，位于该第一井区内；以及一第二导电型的第二井区，位于该本体内，由该第一延伸部的底部延伸至一漏极掺杂区附近。2. 根据权利要求1所述的高压金氧半导体组件，其特征在于，其中，该第一延伸部连接 至该第二延伸部。3. 根据权利要求1所述的高压金氧半导体组件，其特征在于，其中，该第一延伸部与该 第二延伸部间具有一介电层，该第一延伸部电性连接至该源极掺杂区，该第二延伸部电性 连接至一栅极。4. 根据权利要求1所述的高压金氧半导体组件，其特征在于，其中，该漏极掺杂区位于 该本体的底部。5. —种高压金氧半导体组件，其特征在于，包括 一第一导电型的本体；一栅极导电层，沿着该本体的上表面延伸；二个第二导电型的第一井区，位于该本体内，且对应于该栅极导电层的相对两侧边； 二个第一导电型的源极掺杂区，分别位于该二个第一井区内，且位于该栅极导电层的相对两侧边的下方；以及一第二导电型的第二井区，电性连接至一栅极或一源极，且位于该本体内，由该栅极导电层的下方向下延伸至一基材附近，该第二井区与该二个第一井区间分别间隔一预设距离，该第二井区与该栅极导电层的间隔距离大于该第一井区的深度。6. 根据权利要求5所述的高压金氧半导体组件，其特征在于，其中，该高压金氧半导体 组件还包括一第二导电型的保护环，位于该本体内且环绕该些第一井区，该保护环的深度 大于该第一井区的深度，该保护环的下缘与该第二井区相接触。7. 根据权利要求6所述的高压金氧半导体组件，其特征在于，其中，该保护环通过一源 极金属层电性连接至一源极。8. 根据权利要求6所述的高压金氧半导体组件，其特征在于，其中，该保护环通过该栅 极导电层电性连接至一栅极。9. 一种高压金氧半导体组件的制作方法，其特征在于，包括(a) 提供一基材；(b) 于该基材上制作一第一导电型的第一外延层；(c) 利用一掩膜于该第一外延层中定义一掺杂范围，并植入第二导电型的离子于该第 一外延层内，以构成一第一掺杂区；(d) 重复前述步骤(b)与(C)至少一个循环；(e) 制作一第二外延层于该些第一外延层上；(f) 制作一沟渠暴露最上方的该第一掺杂区；(g) 制作一导电结构于该第二外延层上，该导电结构具有一第一延伸部与一第二延伸 部，该第一延伸部位于该沟渠内，该第二延伸部沿着该第二外延层的上表面延伸；(h) 以该导电结构为屏蔽，植入第二导电型的离子于该第二外延层内，以构成多个第一 井区，该第一井区与该...
【专利技术属性】
技术研发人员：涂高维，
申请(专利权)人：尼克森微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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