功率元件及其制作方法技术

一种功率元件包括电基板、外延层、井区、多个掺杂区、多个沟渠、第一氧化层、第二氧化层、多晶硅、二遮蔽区域、介电层及金属导电层。借由该等结构，使沟渠式金属氧化物半导体场效晶体管具有通道式二极管，具有降低导通电压及开关反应快的功能。本发明专利技术另提供一种前述功率元件的制作方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种功率元件，特别是涉及一金属氧化物半导体场效晶体管，其具有通道式二极管功率元件。

技术介绍

1、金属氧化物半导体场效晶体管(mosfet)被广泛地应用在切换(power switch)元件上，近期有提出沟槽式(trench)的碳化硅(sic)技术应用于电动车及太阳能逆变器的领域中。

2、然而，对于以碳化硅为基材的金属氧化物半导体场效晶体管而言，应用于功率元件时，其pn接面的顺向偏压较大，约在2-3ev，相较于以硅基材的金属氧化物半导体场效晶体管而言，仅需以较低的电压即可导通电路(turn on)。

3、故，如何通过结构设计的改良，来提升碳化硅(sic)基材的金属氧化物半导体场效晶体管的效能，以克服上述的缺陷，已成为该项事业所欲解决的重要课题之一。

技术实现思路

1、本专利技术所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种功率元件的制作方法，其包括：提供电基板，其掺杂有第一导电掺杂物，电基板具有第一表面及相对的第二表面。在第一表面上形成外延层，其具有第二导电掺杂物，与本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种功率元件的制作方法，其特征在于，所述功率元件的制作方法包括：

2.根据权利要求1所述的功率元件的制作方法，其特征在于，所述井区为多个，相邻的二个所述井区之间具有间距。

3.根据权利要求1所述的功率元件的制作方法，其特征在于，所述电基板为碳化硅基板，所述第一导电掺杂物为N型掺杂物。

4.根据权利要求1所述的功率元件的制作方法，其特征在于，所述第一氧化层的厚度为40-60nm；所述第二氧化层的厚度为1-10nm。

5.根据权利要求2所述的功率元件的制作方法，其特征在于，所述间距为0.5-5um；所述沟渠的深度为0.5-5um，所述沟渠内...

【技术特征摘要】

1.一种功率元件的制作方法，其特征在于，所述功率元件的制作方法包括：

2.根据权利要求1所述的功率元件的制作方法，其特征在于，所述井区为多个，相邻的二个所述井区之间具有间距。

3.根据权利要求1所述的功率元件的制作方法，其特征在于，所述电基板为碳化硅基板，所述第一导电掺杂物为n型掺杂物。

4.根据权利要求1所述的功率元件的制作方法，其特征在于，所述第一氧化层的厚度为40-60nm；所述第二氧化层的厚度为1-10nm。

5.根据权利要求2所述的功率元件的制作方法，其特征在于，所述间距为0.5-5um；所述沟渠的深度为0.5-5um，所述沟渠内的...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐松年，陈和泰，许修文，
申请(专利权)人：尼克森微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：