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一种功率元件包括电基板、外延层、井区、多个掺杂区、多个沟渠、第一氧化层、第二氧化层、多晶硅、二遮蔽区域、介电层及金属导电层。借由该等结构，使沟渠式金属氧化物半导体场效晶体管具有通道式二极管，具有降低导通电压及开关反应快的功能。本发明另提供一...
该专利属于尼克森微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过尼克森微电子股份有限公司授权不得商用。

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