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本发明涉及一种半导体器件，其特征在于，包含一个漏极、一个覆盖在漏极上的外延层、一个有源区；上述有源区包含：一个沉积在外延层中的主体、一个嵌入主体内的源极、一个延伸进外延层的栅极沟道、一个沉积在栅极沟道中的栅极、一个沿源极和至少一部分主体延伸...
该专利属于万国半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过万国半导体有限公司授权不得商用。

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