用于对非易失性存储设备执行读取操作的方法技术

在一种用于对非易失性存储设备执行读取操作的方法中，对选择的位线预充电。向所有字线顺序地施加通过电压。被施加到从所有字线中选择的字线的通过电压被改变为读取电压。读取电压被施加到所选择的字线。读取被耦合到所选字线的存储单元的数据。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，并且尤其涉及一 种能够改进读取操作的可靠性的、。
技术介绍
在非易失性存储设备的读取操作中，可以通过向被电耦合到选择的串的位线施加 预充电电压、向被电耦合到选择的存储单元的字线施加读取电压并且感测预充电位线的电 压电平的变化，来读取数据。图1是用于图示已知的非易失性存储设备的问题的剖视图。参照图1，非易失性存储设备包括在半导体衬底10上形成的多条字线WL0到 WLn (其中n是自然数)。多条字线WL0到WLn被形成在源选线SSL和漏选线DSL之间。多 条字线WL0到WLn、源选线SSL和漏选线DSL中的每条都具有这样的结构，在该结构中，在半 导体衬底10上形成栅绝缘层12、浮置栅14、电介质层16和控制栅18。在于源选线SSL和 漏选线DSL中形成的电介质层16的每个的一部分中形成接触孔，由此把浮置栅14和控制 栅18电耦合。此外，在源选线SSL与多条字线WL0到WLn之间、在多条字线WL0到WLn之 间以及在多条字线WL0到WLn与漏选线DSL之间的半导体衬底10中形成结区10a。作为一个例子，描述了关于被耦合到字线中的第三字线WL2的存储单元的读取操 作。在非易失性存储设备的读取操作中，如上所述，向被电耦合到要读取的存储单元 的位线施加预充电电压。向被电耦合到未选择的存储单元的字线WL1到WLn施加通过电压， 并且向被电耦合到选择的存储单元的第三字线WL2施加读取电压。如果所选存储单元是编程的单元并且被施加到所选择的第三字线WL2的读取电 压电平低于编程的单元的阈值电压，那么在所选存储单元下面没有形成沟道。在这种情况 下，在向源选线SSL施加导通电压之前，被电耦合到源选线SSL的源选晶体管保持在关断状 态。据此，在源选晶体管下面也没有形成沟道。如上所述，如果源选晶体管和所选存储单元 都处于关断状态，那么可能出现在关断区域之间电压电平上升的沟道升压现象。参照图1， 在源选线SSL和第三字线WL2之间的半导体衬底10中可能出现沟道升压。然而，在朝着漏 选线DSL的半导体衬底10中不出现沟道升压。这是因为向漏选线DSL施加导通电压，以便 把位线BL的电压转送到有源区。如上所述，如果其中出现沟道升压的区域和其中没有出现沟道升压的区域存在于 相同的串中，那么可能在其中出现沟道升压的区域和其中没有出现沟道升压的区域之间形 成高电场，因此可能产生热电子‘e’。特别地是，由于热电子‘e’可能渗透到朝着源选线SSL的方向靠近所选存储单元的存储单元中，因此存储单元的阈值电压分布可能会变动。即，由 于热电子‘e’的渗入，所以可能对被耦合到第二字线WLl的存储单元执行不想要的软编程 操作。如果如上所述阈值电压变动，那么不仅可能改变存储单元的数据，而且可能增加 存储单元的阈值电压分布的宽度，这可能会降低特别是多级单元(MLC)的可靠性
技术实现思路
依照一个或多个实施例，在读取操作期间，可以抑制出现沟道升压。据此，可以防 止出现热电子，并且可以防止源于所产生的热电子的存储单元的阈值电压分布的变动。在依照第一实施例的中，向所有字 线顺序地施加通过电压。被施加到在所有字线当中选择的字线的通过电压被改变为读取电 压。读取电压被施加到所选择的字线。读取被耦合到所选择字线的存储单元的数据。在依照第二实施例的中，对选择的 位线预充电。通过电压被顺序施加到所有字线，并且同时，读取电压被施加到选择的字线。 读取被耦合到所选字线的存储单元的数据。在包括存储单元的存储块中，在向所有字线顺序地施加通过电压之后，读取电压 被施加到所选择的字线。把通过电压改变为读取电压并且向选择的字线施加读取电压包括对已经施加了 通过电压的所选字线进行放电并且向所选字线施加读取电压。向所有字线施加通过电压包括从邻近于漏选线的字线到邻近于源选线向字线顺 序地施加通过电压。以IOns到10000ns的延迟时间向所有字线顺序地施加通过电压。所有字线被分成各个组，每个组包括一条或更多条字线，并且通过电压被施加到 每个组。在依照第三实施例的中，形成均包 括一条或多条字线的多个字线组。通过电压被顺序地施加到所有字线组的所有字线。被施 加到在所有字线当中选择的字线的通过电压被改变为读取电压，并且向选择的字线施加读 取电压。读取被耦合到所选择字线的存储单元的数据。在依照第四实施例的中，形成均包 括多条字线的多个字线组。通过电压被顺序施加到所有字线组的所有字线，并且同时，读取 电压被施加到所选择的字线。读取被耦合到所选择字线的存储单元的数据。把通过电压改变为读取电压并且向选择的字线施加读取电压包括对已经施加了 通过电压的所选字线进行放电并且向所选字线施加读取电压。向所有字线施加通过电压包括依照从漏选线到源选线的字线组的次序向所有字 线施加通过电压。以IOns到10000ns的延迟时间向所有字线顺序地施加通过电压。在依照第五实施例的中，对选择的 位线预充电。在对选择的位线预充电之后，同时向所有字线施加通过电压。被施加到从所 有字线中选择的字线的通过电压被改变为读取电压，并且向选择的字线施加读取电压。读取被耦合到所选择字线的存储单元的数据。在依照第六实施例的中，向所有字 线同时施加通过电压。对选择的位线预充电。被施加到在所有字线当中选择的字线的通过 电压被改变为读取电压，并且向选择的字线施加读取电压。读取被耦合到所选择字线的存 储单元的数据。当向所有字线施加通过电压时，漏选 晶体管和源选晶体管均导通。当把施加到选 择的字线的通过电压改变为读取电压并且向选择的字线施加读取电压时，关断源选晶体管。当施加通过电压时，漏选晶体管和源选晶体管均导通。把通过电压改变为读取电压并且向选择的字线施加读取电压包括在读取存储单 元的数据之前关断源选晶体管，当选择的字线的电压电平达到读取电压电平时再次导通源 选晶体管。把通过电压改变为读取电压并且向选择的字线施加读取电压包括对已经施加了 通过电压的所选字线进行放电继而向所选字线施加读取电压。在依照第七实施例的中，读取电压 被施加到选择的字线，并且同时，通过电压被施加到其余字线。对选择的位线预充电。读取 被耦合到所选择字线的存储单元的数据。当施加读取电压或通过电压时，漏选晶体管和源选晶体管均导通。在所述方法中，通过向字线施加读取电压或通过电压来把选择的串的沟道电耦合 到字线，然后关断源选晶体管。读取存储单元的数据包括估算所选存储单元的阈值电压的变动并继而感测被耦 合到所选存储单元的所选位线的电压变化。附图说明图1是用于图示已知的非易失性存储设备的问题的剖视图；图2是非易失性存储设备的电路图；图3是用于图示依照第一实施例的用于对非易失性存储设备执行读取操作的方 法的时序图；图4是用于图示依照第二实施例的用于对非易失性存储设备执行读取操作的方 法的时序图；图5是用于图示依照第三实施例的用于对非易失性存储设备执行读取操作的方 法的时序图；图6是用于图示依照第四实施例的用于对非易失性存储设备执行读取操作的方 法的时序图；图7是用于图示依照第五实施例的用于对非易失性存储设备执行读取操作的方 法的时序图；图8是用于图示依照第六实施例的用于对非易失性存储设备执行读取操作的方 法的时序图；以及图9是用于图示依照第七实施例的的时序图。具体实施方式本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于对非易失性存储设备执行读取操作的方法，所述方法包括：对选择的位线预充电；向所有字线顺序地施加通过电压；把向在所有字线当中选择的字线施加的所述通过电压改变为读取电压；向所选择的字线施加所述读取电压；以及读取被耦合到所选择的字线的存储单元的数据。

【技术特征摘要】
KR 2009-4-14 10-2009-0032250一种用于对非易失性存储设备执行读取操作的方法，所述方法包括对选择的位线预充电；向所有字线顺序地施加通过电压；把向在所有字线当中选择的字线施加的所述通过电压改变为读取电压；向所选择的字线施加所述读取电压；以及读取被耦合到所选择的字线的存储单元的数据。2.如权利要求1所述的方法，进一步包括在向所选择的字线施加所述读取电压之前把所选择的字线放电。3.如权利要求1所述的方法，其中向所有字线施加通过电压包括从邻近于漏选线的字 线到邻近于源选线的字线向字线顺序地施加所述通过电压。4.如权利要求3所述的方法，其中以IOns到10000ns的延迟时间向所有字线顺序地施 加所述通过电压。5.如权利要求1所述的方法，其中所有字线被分为均包括一条或更多条字线的各个 组，并且所述通过电压被施加到每个组。6.如权利要求1所述的方法，其中读取存储单元的数据进一步包括 估算所选择的存储单元的阈值电压的变动；以及感测被耦合到所选择的存储单元的所选位线的电压的变化。7.如权利要求1所述的方法，进一步包括当向所有字线施加所述通过电压时导通漏选晶体管和源选晶体管；及 当把施加到所选择的字线的通过电压改变为所述读取电压并且向所选择的字线施加 所述读取电压时，关断所述源选晶体管。8.如权利要求7所述的方法，进一步包括在读取所述存储单元的数据之前，当所选择的字线的电压电平达到读取电压电平时， 再次导通所述源选晶体管。9.一种用于对非易失性存储设备执行读取操作的方法，所述方法包括 对选择的位线预充电；向所有字线顺序地施加通过电压并且同时向所选择的字线施加读取电压；以及 读取被耦合到所选择的字线的存储单元的数据。10.如权利要求9所述的方法，其中向所有字线施加通过电压包括从邻近于漏选线的 字线到邻近于源选线的字线向字线顺序地施加所述通过电压。11.如权利要求10所述的方法，其中以IOns到10000ns的延迟时间向所有字线顺序地 施加所述通过电压。12.如权利要求9所述的方法，其中所有字线被分为均包括一条或更多条字线的各个 组，并且所述通过电压被施加到每个组。13.如权利要求9所述的方法，其中读取存储单元的数据进一步包括 估算所选择的存储单元的阈值电压的变动；以及感测被耦合到所选择的存储单元的所选位线的电压的变化。14.一种用于对非易失性存储设备执行读取操作的方法，所述方法包括 形成多个字线组，每个字线组都包括一条或更多条字线；向所有字线组的所有字线顺序地施加通过电压；把向在所有字线当中选择的字线施加的通过电压改变为读取电压；向所选择的字线施加所述读取电压；以及读取被耦合到所选择的字线的存储单元的数据。15.如权利要求14所述的方法，进一步包括在向所选择的字线施加所述读取电压之前把所选择的字线放电。16.如权利要求14所述的方法，其中向所有字线施加通过电压包括依照从漏选线到源 选线...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱锡镇，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]