相变存储单元的数据读出电路及读出方法技术

本发明专利技术提供一种相变存储单元的数据读出电路及读出方法，所述电路至少包括：读电流供应电路、判决管、偏置电压产生电路、预充电电路、比较电路、放电电路等，先由预充电电路对待读的相变存储单元的位线预充电，在停止充电后，判决管会因待读的相变存储单元的阻值的不同而进入导通或截止状态，再由比较电路将判决管在导通或截止时输出的电压和预设参考电压进行比较，由此输出和待读的相变存储单元的阻值相应的电位，并在比较电路输出相应电位后，放电电路将位线上残余电荷泄放，从而完成数据的读取，此法可有效避免位线上寄生电容的影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种数据读出电路及读出方法，特别涉及一种相变存储单元的数据读 出电路及读出方法。
技术介绍
相变存储器是基于Ovshinsky在20世纪60年代末提出的奥弗辛斯基电子效应的 存储器，它一般是指硫系化合物随机存储器，又被称作奥弗辛斯基电效应统一存储器，其工 作原理是利用加工到纳米尺寸的相变材料在多晶态(材料呈低阻状态)与非晶态(材料呈 高阻状态)时不同的电阻状态来实现数据的存储。相变存储器作为一种新型存储器，由于 其读写速度快，可擦写耐久性高，保持信息时间长，存储密度大，读写功耗低以及非挥发等 特性，被业界认为是最有发展潜力的下一代存储器。相变存储器中存储的数据(即相变单元的晶态或非晶态)要通过读出电路读取， 考虑到其呈现出来的直观电学特性为低阻或高阻，因此，相变存储器都是通过在读使能信 号及读电路的控制下，向相变存储器存储单元输入较小量值的电流或者电压，测量存储单 元上的电压值或电流值来实现的。读出电路通过发送一个极低的电流值(电压值)给相变存储单元，此时读取位线 的电压(电流)，如果位线电压较高(电流较小)则表示相变单元为高阻态，即“1”;如果位 线电压较低(电流较大)则表示相变单元为低阻态，即“0”。然而，在读的过程中，当有电流 流过相变存储单元时，相变存储单元会产生焦耳热，当焦耳热的功率大于单元的散热效率 时，这种热效应会影响相变存储单元的基本状态；同时，当相变存储单元两端电压差超过某 一个阈值时，相变材料内部载流子会发生击穿效应，载流子突然增加，从而表现出低阻的特 性，而此时材料本身并没有发生相变。上述两个现象即所谓的读破坏现象。为了克服以上 缺点，读出电路需要满足以下要求读出电流(电压)必须非常小，以至于其产生焦耳热的 功率不超过单元的散热效率；采用适当大的读出电流(电压)，然而读出速度必须非常快， 以至于使产生的焦耳热还来不及使单元的基本状态发生改变，然而，这个读出电流(电压) 的最大值须小于相变单元的内部载流子击穿阈值，以防止相变材料内部载流子发生击穿效 应。对于理想情况下的相变单元，以上要求是可实现的。然而，在实际的相变存储器 中，一方面，由于位线上的寄生电容会导致在满足上述要求的读出电流(电压)操作时需要 很长的时间。读出电路需要等待读出电流(电压)给位线电容充完电以后才能正确的读出 相变存储单元的状态，这样便极大地制约了相变存储器的速度特性。另一方面，由于相变单 元内部载流子击穿阈值的限制，通常这一载流子击穿阈值是一个很低的电压值，使得相变 单元处于高阻和低阻时其所在位线的电压差并不十分明显(小于载流子击穿阈值)，从而 使得读出数据的可靠性成为一个严重的问题。因此，如何提高上述读出数据速度、改善其读出数据可靠性问题，实已成为本领域 技术人员亟待解决的技术课题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种。为了达到上述目的及其他目的，本专利技术提供的相变存储单元的数据读出电路，包 括读电流供应电路，用于在读数据的时间段内向待读取的相变存储单元提供读电流；判 决管，连接在所述读电流供应电路与待读取的相变存储单元的位线之间，用于通过分辨所 述位线电压的高或低而工作在截止或导通状态；偏置电压产生电路，连接所述判决管，用于 向所述判决管提供偏置电压；预充电电路，连接在所述位线，用于在读数据时向所述位线充 电，并当充电至第一电压后停止充电，其中，所述第一电压低于所述待读取的相变存储单元 的阈值电压，但能使所述判决管处于导通或截止的临界状态；比较电路，连接所述判决管， 用于比较所述判决管在所述预充电电路停止充电后、所输出的电压与预设参考电压，以输 出与所述待读取的相变存储单元阻态相对应的值，其中，所述判决管所输出的电压为已进 入导通或者已进入截止后所输出的电压；以及放电电路，连接在所述位线，用于当所述比 较电路已输出与所述待读取的相变存储单元阻态相对应的值后，泄放所述位线上的残余电 荷。其中，所述相变存储单元的数据读出电路还可包括在所述位线上串接一耦合器 件，使所述判决管、预充电电路、放电电路经由所述耦合器件与所述位线连接；所述耦合器 件可以是传输门或其它器件。较佳的，所述预充电电路可以包括由预充电电流源和限压电阻组成的串联电路、 以及连接在所述预充电电流源和限压电阻公共点的预充电开关，其中，所述预充电开关连 接所述位线或者所述耦合器件；其中，所述限压电阻的阻值由所述待读取的相变存储单元 的阈值电压和电流源的预充电电流源的电流值的比值决定，所述预充电开关可以是N型 MOS 管。较佳的，所述判决管可以是N型MOS管。较佳的，所述偏置电压产生电路可以包括由偏置电流源、与所述判决管相匹配的 参考管以及参考电阻串接成的串联电路；其中，所述参考电阻的阻值处在所述待读取的相 变存储单元的高阻和低阻之间的范围内。其中，所述预设参考电压处于所述判决管导通时输出的电压值和截止时输出的电 压值之间的范围内，例如，选择所述判决管导通时输出的电压值和截止时输出的电压值之 间的中间值。本专利技术的相变存储单元的数据读出方法，包括步骤1)预充电步骤即在读数据 开始时，放电电路停止工作，由预充电电路和读电流供应电路共同向待读取的相变存储单 元的位线充电，使所述位线电压充电至第一电压；2)弛豫阶段的步骤即所述预充电电路 和放电电路停止工作，根据所述读电流供应电路向所述待读取的相变存储单元的充电速度 和所述待读取的相变存储单元的电阻的放电速度，判决管进入导通或者截止状态；3)感测 步骤即在所述判决管进入导通或者截止状态后，所述预充电电路和放电电路仍然停止工 作，比较电路比较所述判决管输出的电压和预设参考电压，从而输出与所述待读取的相变 存储单元阻态相对应的值；以及4)放电步骤在所述比较电路输出相应的值后，所述预充 电电路仍然停止工作，放电电路开始泄放所述位线上的残留电荷，从而完成数据的读取。较佳的，所述预充电电路的充电电流大于所述读电流供应电路的充电电流。综上所述，本专利技术的可以有效克服位线 上的寄生电容的影响。附图说明图1和图2为本专利技术的相变存储单元的数据读出电路的示意图。图3为本专利技术的相变存储单元的数据读出方法的原理示意图。图4为本专利技术的相变存储单元的数据读出方法的时序图。具体实施例方式请参阅图1及图2，本专利技术的相变存储单元的数据读出电路至少包括读电流供应 电路、判决管、偏置电压产生电路、预充电电路、比较电路、放电电路等。其中，待读取的相变 存储单元(即Memory cell)采用由电阻RlOO和MOS管附00串接成的电路作为等效电路， 且其所在位线BL存在有一寄生电容(Parasitic Capacitance) 0此外，在所述位线上还可 以增设一耦合器件Bit Switch，例如，传输门，以便与其它电路耦合。所述读电流供应电路用于在读数据的时间段内向待读取的相变存储单元提供读 电流，其可采用电流源Icell来提供电流。进一步的，该电流源Icell可由电流源Iref、M0S 管P201a、P202、P201d、P205构成的镜像电路来实现，各元件的连接方式如图2所示。所述判决管moib采用N型MOS管，其漏极连接电流源Icell、源极连接耦合器件， 用于通过分辨所述位线BL电压的高或低而工作在截止或导通状态。需要说本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李喜，宋志棠，陈后鹏，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：31