半导体封装结构制造技术

本发明专利技术是一种半导体封装结构，该半导体封装结构包括：一承载件，其具有多个引脚，任一引脚由一内引脚与一外引脚组合而成；一芯片，其设置于内引脚的下表面；一电性连接结构和一封装胶体。其中内引脚由芯片的上表面水平处形成一阶梯状段差部向外弯折；以及外引脚自内引脚水平往外延伸，使外引脚与芯片形成一高度差。本发明专利技术的一高度差是使封装过程中跑入的粒子免于同时碰触引脚及芯片，干扰芯片内元件的电性导通，以提升封装后芯片电性的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关半导体封装，特别是一种引脚结构以改善封装后芯片电性可靠性 的半导体封装结构。
技术介绍
半导体的封装工艺中，引脚以功能性是区分为内引脚与外引脚。 一般内引脚 较短是提供支撑作用，承载芯片。外引脚较长以延伸出封装胶体的外部，可供胶体 封装完后和外界电子产品的电性连接。又内引脚一般利用引线和芯片电性连接，故 引脚形式，直接影响打线，亦间接联系芯片的电性，因此引脚对维系芯片电性可靠 性影响甚深。图1所示为现有的半导体封装结构10的剖面示意图，如图所示，其引脚11 是由内引脚12与外引脚14所组成，其中外引脚14是水平衔接内引脚12以往外延 伸而出。芯片20粘于内引脚12的下表面，又内引脚12与芯片20是利用引线30 彼此电性连接。然而，在热压或封装过程中，空气中的粒子会跑入封装胶体40内， 因引脚ll和芯片20的间隙h过小， 一般约为100ym，此种深度，对跑入封装胶 体40的粒子，易引发同时碰触引脚11与芯片20，导通芯片20内元件的额外电性， 增加非必要的电流，加重芯片20元件上的负荷，因而伤害芯片20，故针对粒子跑 入封装胶体所引发伤害芯片的问题亟需解决。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利技术目的是提供一种半导体封装结构，特别是一种强 化引脚结构的半导体封装结构，其中内引脚由芯片的上表面水平处形成一阶梯状段差部向外弯折；以及外引脚是自内引脚水平往外延伸，使外引脚与芯片形成一高度 差。此高度差可防止跑入封装体的粒子，同时碰触引脚与芯片，造成芯片电为了达到上述目的，本专利技术的半导体封装结构，包括一承载件，其具有多个 引脚相对设置并形成一开口，其中每一引脚是由一内引脚与一外引脚组合而成；一 芯片，其设置于内引脚的下表面的开口位置处，其中内引脚由芯片的上表面水平处 形成一阶梯状段差部向外弯折；以及外引脚自内引脚水平往外延伸，使外引脚与芯 片形成一高度差； 一电性连接结构，其电性连接芯片与内引脚；以及一封装胶体， 其包覆承载件与芯片，并曝露出部分外引脚，以达强化引脚结构。附图说明图1所示为现有半导体封装结构剖面示意图。图2所示为根据本专利技术的一半导体封装结构剖面示意图。具体实施方式图2所示为本专利技术的一种半导体封装结构100剖面的示意图。首先，本实施 例包括一承载件101、 一芯片200、 一电性连接结构300以及一封装胶体400。承 载件IOI，其具有多个引脚相对设置并形成一开口 120，其中每一引脚是由一内引 脚102与一外引脚104组合而成。芯片200，其设置于内引脚102的下表面的开口 120位置处，其中内引脚102由芯片200的上表面水平处形成一阶梯状段差部向外 弯折；以及外引脚104自内引脚102水平往外延伸，使外引脚104与芯片200形成 一高度差H。电性连接结构300，其电性连接芯片200与内引脚102。封装胶体400， 其包覆承载件101与芯片200，并曝露出部分外引脚104。于本实施例中，此高度差H是远大于一般制作工艺中跑入粒子的直径，于此 状况下，可防止粒子同时碰触芯片200与外引脚104，避免额外的电性导通，造成 非必要的电流流经芯片200上的元件，伤害芯片200，故有效维持芯片200的功能。接续上述说明，于本实施例的半导体封装结构100，其中，芯片200的上表面 是一主动面，其上还包括多个焊垫(图中未示)以供电性连接内引脚102。其中电性 连接结构300是多根导线，如金线，利用导线电性连接焊垫与内引脚102。于一实 施例中，电性连接结构是多个导电球(图上未示)，如锡球。又电性连接结构300 的作用是维持芯片200的必要电性导通，故本专利技术的外引脚与芯片形成的高度差， 可有效抑止跑入封装体内的粒子，避免混淆电性导电通路而破坏芯片结构。于另一实施例中，还可于芯片200的下表面设置多个焊垫(图中未示)，以供 导线或导电球电性连接内引脚102及芯片200上的焊垫。综合上述，本专利技术的半导体封装结构具有一种引脚结构，其外引脚与芯片间 形成一高度差，可容纳在工艺过程中跑入的粒子，且亦可避免粒子同时接触引脚与 芯片而彼此导通，以使额外的电流流经芯片上的元件，从而破坏芯片功能，故本发 明可有效提升封装后的产品可靠性。以上所述的实施例仅是说明本专利技术的技术思想及特点，其目的在使熟悉此项 技术的人士能够了解本专利技术的内容并据以实施，当不能以其限定本专利技术的专利范 围，即凡是根据本专利技术所揭示的精神所作出的等同的改变或替换，仍应涵盖在本发 明的专利范围内。权利要求1.一种半导体封装结构，包含一承载件，其具有多个引脚相对设置并形成一开口，其中每一这些引脚是由一内引脚与一外引脚组合而成；一芯片，其设置于这些内引脚的下表面的该开口位置处，其中这些内引脚由该芯片的上表面水平处形成一阶梯状段差部向外弯折；以及这些外引脚自这些内引脚水平往外延伸，使这些外引脚与该芯片形成一高度差；一电性连接结构，其电性连接该芯片与这些内引脚；以及一封装胶体，其包覆该承载件与该芯片，并曝露出部分这些外引脚。2. 根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于该电性连接结构是多 根导线。3. 根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于该芯片的上表面具有 多个焊垫。4. 根据权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于这些导线电性连接这 些焊垫与这些内引脚。5. 根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于该电性连接结构是多 个导电球。6. 根据权利要求5所述的半导体封装结构，其特征在于该芯片的下表面具有 多个焊垫。7. 根据权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于这些导电球电性连接 这些焊垫与这些内引脚。全文摘要本专利技术是一种半导体封装结构，该半导体封装结构包括一承载件，其具有多个引脚，任一引脚由一内引脚与一外引脚组合而成；一芯片，其设置于内引脚的下表面；一电性连接结构和一封装胶体。其中内引脚由芯片的上表面水平处形成一阶梯状段差部向外弯折；以及外引脚自内引脚水平往外延伸，使外引脚与芯片形成一高度差。本专利技术的一高度差是使封装过程中跑入的粒子免于同时碰触引脚及芯片，干扰芯片内元件的电性导通，以提升封装后芯片电性的可靠性。文档编号H01L23/48GK101567354SQ20081009573公开日2009年10月28日 申请日期2008年4月23日 优先权日2008年4月23日专利技术者陈锦弟 申请人:力成科技股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装结构，包含：　一承载件，其具有多个引脚相对设置并形成一开口，其中每一这些引脚是由一内引脚与一外引脚组合而成；　一芯片，其设置于这些内引脚的下表面的该开口位置处，其中这些内引脚由该芯片的上表面水平处形成一阶梯状段差部 向外弯折；以及这些外引脚自这些内引脚水平往外延伸，使这些外引脚与该芯片形成一高度差；　一电性连接结构，其电性连接该芯片与这些内引脚；以及　一封装胶体，其包覆该承载件与该芯片，并曝露出部分这些外引脚。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈锦弟，
申请(专利权)人：力成科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]