线路板与线路结构的制作方法技术

一种线路结构的制作方法如下所述。首先，提供一基板，导电材料层配置于基材的第一表面上，蚀刻终止层覆盖导电材料层，第一种子层覆盖蚀刻终止层与基材的贯孔内壁。导电层配置于第一种子层上并包括一覆盖贯孔内壁的导电孔层。接着，移除导电层与第一种子层的覆盖第一表面的部分、蚀刻终止层以及导电材料层，并于基材上全面形成一第二种子层。之后，于第二种子层上形成一图案化掩膜层，并于第二种子层的暴露于图案化掩膜层之外的部分上形成一线路层。然后，移除图案化掩膜层与第二种子层的暴露于线路层之外的部分。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种线路结构的制造方法以及具有前述线路结构的线路板，且特别是有关于一种使用二次半加成法(half additive process) 的线路结构的制造方法以及具有前述线路结构的线路板。
技术介绍
随着科技进步，手机(cellular phone)、笔记型计算机(notebook PC) 以及个人数字助理机(personal digital assistant, PDA)等电子产品已 普遍地在现代社会中。在这些电子产品的必要零件中，除了芯片(chip)与 被动元件(passive component)等电子元件(electric device)之夕卜，7承载 与配置这些芯片与被动元件的线路板也是不可或缺的重要零件。线路板可依实际需求而配置有单层或多层线路层。当线路板具有多层 线路层时，这些线路层可由多个镀通孔(plating through hole)而相互连 接。镀通孔就是在线路板的贯孔内壁覆盖一层导电孔层，且导电孔层可连 接至少两层线路层。于已知技术中，制作线路板的线路层与镀通孔的方法如下所述。首先， 提供一基板，其具有一介电层以及分别配置于介电层上下两侧的二第一导 电层。接着，在基板中形成多个贯孔。之后，在基板的表面与贯孔的内壁 上全面形成一种子层，并在种子层上全面形成一第二导电层。然后，在贯 孔内填入塞孔材料(stuffing material),以形成一塞孔柱(stuff ing pillar)。接着，研磨塞孔柱与第二导电层，以使两者的表面齐平。之后， 以减成法(subtractive process)图案化第一与第二导电层，以分别于介 电层的上下两侧形成二线路层。而且，第二导电层的位于贯孔内的部分即 为前述的导电孔层。然而，由于减成法完全是以蚀刻的方式形成线路层，因此以减成法所 形成的线路层的图案的精准度较差而不利于细线路的制作。
技术实现思路
本专利技术提出一种线路结构的制作方法是由二次半加成的方法制作线 路结构。本专利技术另提出一种线路板，其具有以二次半加成的方法所形成的线路 结构。本专利技术提出一种线路结构的制作方法如下所述。首先，提供一基板，基板包括一基材、 一第一导电材料层、 一第一蚀刻终止层(etching stop layer)、 一导电层与一塞孔柱。基材具有一第一表面以及至少一贯孔，贯 孔的一第一开放端位于第一表面，第一导电材料层配置于第一表面上。第 一蚀刻终止层覆盖第一导电材料层，导电层配置于第一蚀刻终止层与贯孔 内壁上，且导电层包括一覆盖贯孔的内壁的导电孔层。塞孔柱填充于贯孔 中，且导电孔层配置于塞孔柱与基材之间。接着，移除导电层的覆盖第一表面的部分、第一蚀刻终止层与第一导 电材料层，此时塞孔柱会高于基材表面，且塞孔柱的高度可由控制第一导 电材料层的厚度来控制。然后，移除导电孔层的邻近第一开放端的部分， 以使导电孔层完全位于贯孔内。之后，形成一第一线路层，第一线路层与 导电孔层之间有一第一界面，且第一界面位于贯孔内。在本专利技术的一实施例中，基板还包括一第一种子层，其覆盖第一蚀刻 终止层与贯孔内壁，且导电层配置于第一种子层上。在本专利技术的一实施例中，在形成第一线路层之前，还包括于第一表面、 导电孔层与塞孔柱上形成一第二种子层，以及于第二种子层上形成一第一 图案化掩膜层，且第一图案化掩膜层具有多个第一开口，第一线路层是形 成在第一开口中并位于第二种子层上。在本专利技术的一实施例中，移除导电层的覆盖第一表面的部分、蚀刻终 止层与第一导电材料层的方法如下所述。首先，于贯孔上方形成一第一蚀 刻掩膜层，第一蚀刻掩膜层覆盖塞孔柱与部分导电层。接着，移除导电层 的未被第一蚀刻掩膜层覆盖的部分。然后，移除第一蚀刻掩膜层。之后，移除部分导电层与部分塞孔柱，以使导电层的一端面以及塞孔柱的一端面 与第一蚀刻终止层的一表面实质上齐平。接着，移除第一蚀刻终止层。然 后，移除第一导电材料层。在本专利技术的一实施例中，基板的形成方法如下所述。首先，提供一介 电层与第一导电材料层，且第一导电材料层配置于介电层上。接着，于介 电层与第一导电材料层中形成至少一贯孔。然后，于第一导电材料层上形 成第一蚀刻终止层。之后，于第一蚀刻终止层以及贯孔内壁上形成一导电 层。然后，于贯孔内填入一塞孔材料，以形成塞孔柱。在本专利技术的一实施例中，基材还具有一第二表面，第二表面相对于第 一表面，且贯孔的一第二开放端位于第二表面，基板还包括一第二导电材 料层与一第二蚀刻终止层，第二导电材料层覆盖基材的第二表面，第二蚀 刻终止层覆盖第二导电材料层，线路结构的制作方法如下所述。当移除导 电层的覆盖第一表面的部分、第一蚀刻终止层与第一导电材料层时，移除 导电层的覆盖第二表面的部分、第二蚀刻终止层与第二导电材料层。接着， 移除导电孔层的邻近第二开放端的部分，以使导电孔层完全位于贯孔内。 当形成第一线路层时，形成一第二线路层，且第二线路层与导电孔层之间 有一第二界面，第二界面位于贯孔内。本专利技术提出一种线路板包括一基材、 一导电孔层、 一塞孔柱与一第一 线路层。基材具有一第一表面与至少一贯孔，且贯孔的一第一开放端位于 第一表面。导电孔层配置于贯孔的内壁上。塞孔柱填充于贯孔中，且导电 孔层位于基材与塞孔柱之间。第一线路层配置于基材的第一表面、塞孔柱 与导电孔层上，且第一线路层与导电孔层之间有一第一界面，第一界面位 于贯孔内。在本专利技术的一实施例中，第一线路层的邻近第一开放端的部分延伸至 贯孔内。在本专利技术的一实施例中，线路板还包括一第一图案化种子层与一第二 图案化种子层。第一图案化种子层配置于导电孔层与基材之间。第二图案 化种子层位于第一线路层与基材之间、第一线路层与塞孔柱之间以及第一 线路层与导电孔层与第一图案化种子层之间，而且第二图案化种子层位于 第一界面上并分隔第一线路层与导电孔层。7在本专利技术的一实施例中，基材还具有一第二表面，第二表面相对于第 一表面，且贯孔的一第二开放端位于第二表面，线路板还包括一第二线路 层，其配置于基材的第二表面、塞孔柱与导电孔层上，且第二线路层与导 电孔层之间有一第二界面，第二界面位于贯孔内。在本专利技术的一实施例中，第二线路层的邻近第二开放端的部分延伸至 贯孔内。在本专利技术的一实施例中，线路板还包括一第三图案化种子层，其位于 第二线路层与基材之间、第二线路层与塞孔柱之间以及第二线路层与导电 孔层之间，而且第三图案化种子层位于第二界面上并分隔第二线路层与导 电孔层。承上所述，由于本专利技术是以二次半加成的方式形成线路结构，因此本 专利技术的第一与第二线路层所具有的图案分辨率较佳，进而有利于细线路的 制作。附图说明为让本专利技术的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举 实施例，并配合附图，作详细说明如下，其中图1A 图1N绘示本专利技术一实施例的线路结构的制作方法的剖面示意图。图2绘示本专利技术一实施例的线路板的剖面示意图。 具体实施例方式图1A 图1N绘示本专利技术一实施例的线路结构的制作方法的剖面示意 图。 .首先，请参照图1E，提供一基板S，而形成基板S的其中一种方法则 如图1A 图1E所示。请参照图1A，首先，提供一介电层110、 一第一导 电材料层120与一第二导电材料层130。介电层110具有一第一表面112 与一第二表面11本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种线路结构的制作方法，包括：　　　　提供一基板，该基板包括一基材、一第一导电材料层、一第一蚀刻终止层、一导电层与一塞孔柱，其中该基材具有一第一表面以及至少一贯孔，该贯孔的一第一开放端位于该第一表面，该第一导电材料层配置于该第一表面上，该第一蚀刻终止层覆盖该第一导电材料层，该导电层配置于该第一蚀刻终止层与该贯孔内壁上，且该导电层包括一覆盖该贯孔的内壁的导电孔层，该塞孔柱填充于该贯孔中，且该导电孔层配置于该塞孔柱与该基材之间；　　　　移除该导电层的覆盖该第一表面的部分、该第一蚀刻终止层与该第一导电材料层；移除该导电孔层的邻近该第一开放端的部分，以使该导电孔层完全位于该贯孔内；以及　　　　形成一第一线路层，该第一线路层与该导电孔层之间有一第一界面，且该第一界面位于该贯孔内。

【技术特征摘要】
1.一种线路结构的制作方法，包括提供一基板，该基板包括一基材、一第一导电材料层、一第一蚀刻终止层、一导电层与一塞孔柱，其中该基材具有一第一表面以及至少一贯孔，该贯孔的一第一开放端位于该第一表面，该第一导电材料层配置于该第一表面上，该第一蚀刻终止层覆盖该第一导电材料层，该导电层配置于该第一蚀刻终止层与该贯孔内壁上，且该导电层包括一覆盖该贯孔的内壁的导电孔层，该塞孔柱填充于该贯孔中，且该导电孔层配置于该塞孔柱与该基材之间；移除该导电层的覆盖该第一表面的部分、该第一蚀刻终止层与该第一导电材料层；移除该导电孔层的邻近该第一开放端的部分，以使该导电孔层完全位于该贯孔内；以及形成一第一线路层，该第一线路层与该导电孔层之间有一第一界面，且该第一界面位于该贯孔内。2. 如权利要求1所述的线路结构的制作方法，其中该基板还包括一第 一种子层，该第一种子层覆盖该第一蚀刻终止层与该贯孔内壁，且该导电 层配置于该第一种子层上。3. 如权利要求1所述的线路结构的制作方法，在形成该第一线路层之 前，还包括于该第一表面、该导电孔层与该塞孔柱上形成一第二种子层； 于该第二种子层上形成一第一图案化掩膜层，且该第一图案化掩膜层具有多个第一开口 ，该第一线路层是形成在该些第一开口中并位于该第二种子层上。4. 如权利要求1所述的线路结构的制作方法，其中移除该导电层的覆 盖该第一表面的部分、该蚀刻终止层与该第一导电材料层的方法包括于该贯孔上方形成一第一蚀刻掩膜层，该第一蚀刻掩膜层覆盖该塞孔 柱与部分该导电层；移除该导电层的未被该第一蚀刻掩膜层覆盖的部分；移除该第一蚀刻掩膜层；移除部分该导电层与部分该塞孔柱，以使该导电层的一端面以及该塞孔柱的一端面与该第一蚀刻终止层的一表面齐平； 移除该第一蚀刻终止层；以及 移除该第一导电材料层。5. 如权利要求1所述的线路结构的制作方法，其中该基板的形成方法包括提供一介电层与该第一导电材料层，且该第一导电材料层配置于该介电层上；于该介电层与该第一导电材料层中形成至少一贯孔； 于该第一导电材料层上形成该第一蚀刻终止层； 于该第一蚀刻终止层以及该贯孔内壁上形成一导电层；以及 于该贯孔内填入一塞孔材料，以形成该塞孔柱。6. 如权利要求1所述的线路结构的制作方法，其中该基材还具有一第 ...

【专利技术属性】
技术研发人员：范智朋，
申请(专利权)人：欣兴电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]