【技术实现步骤摘要】
本专利技术关于一种电路板组件及其制造方法，特别是关于一种包含温度开关的电路板组件及其制造方法。
技术介绍
1、在电路板组件中，由于线路板上的晶片会产生大量的热，因此线路板上通常也会设置有散热模组来对晶片进行散热。一般来说，无论晶片是否有散热需求，散热模组皆会常态性地电性连接于线路板而处于启动状态并对晶片进行散热。为了防止散热模组在晶片没有散热需求时仍持续运作而造成不必要的耗能并降低散热模组的寿命，部分厂商会通过温度控制系统来侦测晶片的温度并根据侦测到的温度控制散热模组的启动与关闭。
2、然，这样的温度控制系统除了需要包含温度感测器之外，还需要包含复杂的控制系统，才能根据温度感测器侦测到的晶片温度来控制散热模组的启动与关闭。换句话说，传统的电路板组件难以通过简单的机制来根据晶片的温度控制散热模组的启动与关闭。
技术实现思路
1、本专利技术在于提供一种电路板组件及其制造方法，以通过简单的机制来根据晶片的温度控制散热模组的启动与关闭。
2、本专利技术一实施例所揭露的电路板组件包含线路板、内埋式晶片、散热模组以及温度开关。内埋式晶片埋设并电性连接于线路板。散热模组设置于线路板，并具有第一电性接点与第二电性接点。散热模组热耦合于内埋式晶片，且散热模组的第一电性接点电性连接线路板。温度开关位于线路板的至少一部分与第二电性接点之间。温度开关包含彼此相叠的第一金属层以及第二金属层。温度开关的第一金属层电性连接于线路板并热耦合于内埋式晶片，且第一金属层的热膨胀系数相异于第二金
3、在本专利技术的一实施例中，上述线路板包含基板以及第一增层结构。第一增层结构包含介电层、散热层以及线路层。介电层设置于基板上。散热层、线路层与温度开关的第一金属层叠设于介电层远离基板的一侧。温度开关的第一金属层设置于介电层的结合力小于线路层设置于介电层的结合力与散热层设置于介电层的结合力。内埋式晶片埋设于基板。散热模组热耦合于散热层，且散热模组的第一电性接点电性连接于线路层。
4、在本专利技术的一实施例中，上述第一增层结构还包含介面接着层。介面接着层介于散热层与介电层之间，以及线路层与介电层之间，但未介于温度开关与介电层之间。
5、在本专利技术的一实施例中，上述温度开关还包含至少一导热盲孔结构。至少一导热盲孔结构设置于介电层，并连接于第一金属层。
6、在本专利技术的一实施例中，上述线路板还包含散热块。散热块的相对两侧分别热接触于第一增层结构的散热层与散热模组。
7、在本专利技术的一实施例中，上述线路板还包含散热块。散热块贯穿第一增层结构的散热层、介面接着层及介电层，且散热块的相对两侧分别热接触于内埋式晶片与散热模组。
8、在本专利技术的一实施例中，上述基板包含绝缘部、第一导热部及导电部。绝缘部具有凹槽。内埋式晶片位于凹槽。第一导热部位于凹槽的一侧，并热接触于内埋式晶片。导电部设置于绝缘部，且线路层、温度开关、内埋式晶片与散热模组电性连接于导电部。
9、在本专利技术的一实施例中，上述至少一导热盲孔结构与导电部的部分相连，且导电部的部分直接接触于内埋式晶片。
10、在本专利技术的一实施例中，上述至少一导热盲孔结构与导电部的部分相连，且导电部的部分与内埋式晶片相分离。
11、在本专利技术的一实施例中，上述基板还包含第二导热部。第二导热部连接于第一导热部，且第一导热部与第二导热部分别热接触于内埋式晶片的相异侧。
12、在本专利技术的一实施例中，上述线路板还包含散热块。散热块贯穿第一增层结构的散热层、介电层及介面接着层，且散热块的相对两侧分别热接触于第一导热部与该散热模组。
13、在本专利技术的一实施例中，上述散热块分离于温度开关。
14、在本专利技术的一实施例中，上述温度开关的第一金属层较温度开关的第二金属层靠近基板，且温度开关的第一金属层的热膨胀系数大于温度开关的第二金属层的热膨胀系数。
15、在本专利技术的一实施例中，上述温度开关还包含第三电性接点。第三电性接点凸出于第二金属层远离第一金属层的一侧。温度开关受内埋式晶片的温度变化而形变以使温度开关的第三电性接点接触或分离于散热模组的第二电性接点。
16、在本专利技术的一实施例中，上述第三电性接点的形状呈锥状或柱状。
17、本专利技术另一实施例所揭露的电路板组件的制造方法包含提供埋设有内埋式晶片的线路板、形成温度开关于线路板的一侧以及设置散热模组于线路板的一侧。温度开关包含彼此相叠的第一金属层以及第二金属层。温度开关的第一金属层电性连接于线路板并热耦合于内埋式晶片，且第一金属层的热膨胀系数相异于第二金属层的热膨胀系数。散热模组热耦合于内埋式晶片。散热模组的第一电性接点电性连接线路板。温度开关介于散热模组的第二电性接点与线路板的至少一部分之间。
18、在本专利技术的一实施例中，上述提供埋设有内埋式晶片的线路板的步骤包含配置内埋式晶片于该线路板的基板内、形成介电层于基板，并定义介电层有第一区域及第二区域、于介电层的第一区域进行增加结合力程序，以及设置散热层及线路层于介电层的第一区域。上述形成温度开关于线路板的一侧之步骤包含形成温度开关于第二区域。
19、在本专利技术的一实施例中，上述增加结合力程序包含形成介面接着层于介电层的第一区域。
20、在本专利技术的一实施例中，上述增加结合力程序包含于介电层的第一区域进行表面加工，以增加第一区域的表面粗糙度。
21、在本专利技术的一实施例中，上述温度开关的第一金属层较温度开关的第二金属层靠近基板，且温度开关的第一金属层的热膨胀系数大于温度开关的第二金属层的热膨胀系数。
22、根据上述实施例所揭露的电路板组件及其制造方法，由于第一金属层的热膨胀系数相异于第二金属层的热膨胀系数，且第一金属层热耦合于内埋式晶片，因此温度开关会受内埋式晶片的温度变化而形变以接触或分离于散热模组的第二电性接点。具体来说，温度开关会在内埋式晶片处于高温时接触第二电性接点而使散热模组启动并对内埋式晶片进行散热，且会在内埋式晶片处于低温时分离于第二电性接点而使散热模组关闭并停止对内埋式晶片散热。如此一来，散热模组即可无需额外搭配温度感测器及复杂的控制系统，并仅根据内埋式晶片的温度变化来启动与关闭，进而达到降低成本、节能及延长散热模组的使用寿命的效果。
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1.一种电路板组件，包含：
2.根据权利要求1所述的电路板组件，其中该线路板包含基板以及第一增层结构，该第一增层结构包含介电层、散热层以及线路层，该介电层设置于该基板上，该散热层、该线路层与该温度开关的该第一金属层叠设于该介电层远离该基板的一侧，该温度开关的该第一金属层设置于该介电层的结合力小于该线路层设置于该介电层的结合力与该散热层设置于该介电层的结合力，该内埋式晶片埋设于该基板，该散热模组热耦合于该散热层，且该散热模组的该第一电性接点电性连接于该线路层。
3.根据权利要求2所述的电路板组件，其中该第一增层结构还包含介面接着层，该介面接着层介于该散热层与该介电层之间，以及该线路层与该介电层之间，但未介于该温度开关与该介电层之间。
4.根据权利要求3所述的电路板组件，其中该温度开关还包含至少一导热盲孔结构，该至少一导热盲孔结构设置于该介电层，并连接于该第一金属层。
5.根据权利要求3所述的电路板组件，其中该线路板还包含散热块，该散热块的相对两侧分别热接触于该第一增层结构的该散热层与该散热模组。
6.根据权利要求3所述的电
7.根据权利要求4所述的电路板组件，其中该基板包含绝缘部、第一导热部及导电部，该绝缘部具有凹槽，该内埋式晶片位于该凹槽，该第一导热部位于该凹槽的一侧，并热接触于该内埋式晶片，该导电部设置于该绝缘部，且该线路层、该温度开关、该内埋式晶片与该散热模组电性连接于该导电部。
8.根据权利要求7所述的电路板组件，其中该至少一导热盲孔结构与该导电部的部分相连，且该导电部的部分直接接触于该内埋式晶片。
9.根据权利要求7所述的电路板组件，其中该至少一导热盲孔结构与该导电部的部分相连，且该导电部的部分与该内埋式晶片相分离。
10.根据权利要求7所述的电路板组件，其中该基板还包含第二导热部，该第二导热部连接于该第一导热部，且该第一导热部与该第二导热部分别热接触于该内埋式晶片的相异侧。
11.根据权利要求7所述的电路板组件，其中该线路板还包含散热块，该散热块贯穿该第一增层结构的该散热层、该介电层及该介面接着层，且该散热块的相对两侧分别热接触于该第一导热部与该散热模组。
12.根据权利要求5、6或11所述的电路板组件，其中该散热块分离于该温度开关。
13.根据权利要求2所述的电路板组件，其中该温度开关的该第一金属层较该温度开关的该第二金属层靠近该基板，且该温度开关的该第一金属层的热膨胀系数大于该温度开关的该第二金属层的热膨胀系数。
14.根据权利要求1所述的电路板组件，其中该温度开关还包含第三电性接点，该第三电性接点凸出于该第二金属层远离该第一金属层的一侧，该温度开关受该内埋式晶片的温度变化而形变以使该温度开关的该第三电性接点接触或分离于该散热模组的第二电性接点。
15.根据权利要求14所述的电路板组件，其中该第三电性接点的形状呈锥状或柱状。
16.一种电路板组件的制造方法，包含：
17.根据权利要求16所述的电路板组件的制造方法，其中提供埋设有该内埋式晶片的该线路板的步骤包含：
18.根据权利要求17所述的电路板组件的制造方法，其中该增加结合力程序包含：
19.根据权利要求17所述的电路板组件的制造方法，其中该增加结合力程序包含：
20.根据权利要求17所述的电路板组件的制造方法，其中该温度开关的该第一金属层较该温度开关的该第二金属层靠近该基板，且该温度开关的该第一金属层的热膨胀系数大于该温度开关的该第二金属层的热膨胀系数。
...【技术特征摘要】
1.一种电路板组件，包含：
2.根据权利要求1所述的电路板组件，其中该线路板包含基板以及第一增层结构，该第一增层结构包含介电层、散热层以及线路层，该介电层设置于该基板上，该散热层、该线路层与该温度开关的该第一金属层叠设于该介电层远离该基板的一侧，该温度开关的该第一金属层设置于该介电层的结合力小于该线路层设置于该介电层的结合力与该散热层设置于该介电层的结合力，该内埋式晶片埋设于该基板，该散热模组热耦合于该散热层，且该散热模组的该第一电性接点电性连接于该线路层。
3.根据权利要求2所述的电路板组件，其中该第一增层结构还包含介面接着层，该介面接着层介于该散热层与该介电层之间，以及该线路层与该介电层之间，但未介于该温度开关与该介电层之间。
4.根据权利要求3所述的电路板组件，其中该温度开关还包含至少一导热盲孔结构，该至少一导热盲孔结构设置于该介电层，并连接于该第一金属层。
5.根据权利要求3所述的电路板组件，其中该线路板还包含散热块，该散热块的相对两侧分别热接触于该第一增层结构的该散热层与该散热模组。
6.根据权利要求3所述的电路板组件，其中该线路板还包含散热块，该散热块贯穿该第一增层结构的该散热层、该介面接着层及该介电层，且该散热块的相对两侧分别热接触于该内埋式晶片与该散热模组。
7.根据权利要求4所述的电路板组件，其中该基板包含绝缘部、第一导热部及导电部，该绝缘部具有凹槽，该内埋式晶片位于该凹槽，该第一导热部位于该凹槽的一侧，并热接触于该内埋式晶片，该导电部设置于该绝缘部，且该线路层、该温度开关、该内埋式晶片与该散热模组电性连接于该导电部。
8.根据权利要求7所述的电路板组件，其中该至少一导热盲孔结构与该导电部的部分相连，且该导电部的部分直接接触于该内埋式晶片。
9.根据权利要求7所述的电路板组件，其中该至少一导...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈禹伸，
申请(专利权)人：欣兴电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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