半导体发光器件制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体发光器件。该半导体发光器件包括：包括多个化合物半导体层的发光结构，所述多个化合物半导体层包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；在所述多个化合物半导体层上的电极层；包括突起并沿所述多个化合物半导体层的上表面的周边部分形成的沟道层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施方案涉及半导体发光器件。
技术介绍
III-V族氮化物半导体已经广泛应用于光学器件例如蓝色和绿色发光二极管 (LED)、高速开关器件如M0SFET(金属半导体场效应晶体管)和HEMT(异质结场效应晶体 管)以及照明器件或显示器件的光源。 氮化物半导体主要用于LED或LD(激光二极管)，已经对于改善氮化物半导体的制 造工艺或光效率持续进行了研究。
技术实现思路
实施方案提供一种能够增加半导体层和另一层之间的粘附力的半导体发光器件。 实施方案提供一种半导体发光器件，其可通过在第二导电半导体层的外表面上形 成粗糙图案来提高第二导电半导体层和在第二导电半导体层上的沟道层之间的粘附力。 —个实施方案提供一种半导体发光器件，包括包括第一导电半导体层、有源层和 第二导电半导体层的多个化合物半导体层；在所述多个化合物半导体层上的电极层；包括 突起并沿所述多个化合物半导体层的上表面的周边部分形成的沟道层。 —个实施方案提供一种半导体发光器件，包括包括第一导电半导体层、在第一导 电半导体层上的有源层和在有源层上的第二导电半导体层的多个化合物半导体层；电连接 至第一导电半导体层的电极；在所述多个化合物半导体层上的电极层；在所述电极层上的 导电支撑构件；沿第二导电半导体层的上表面的周边部分形成的沟道层；和从沟道层向下 突出的突起。 在附图和以下说明中阐述了一个或多个实施方案的细节。通过说明和附图以及通 过权利要求将使其它特征变得显而易见。附图说明 图1是示出根据第一实施方案的半导体发光器件的侧视截面图； 图2是示出图1所示的半导体发光器件的底视图； 图3 12是示出制造图1所示的半导体发光器件的程序的图；禾口 图13是示出根据第二实施方案的半导体发光器件的侧视截面图。具体实施例方式以下，将参考附图来说明根据实施方案的半导体发光器件。在实施方案的说明中，将参考附图来描述每层的表述"之上"或"之下"，每层的厚度不限于附图所示的厚度。 在实施方案的说明中，应理解当层(或膜)、区域、图案或结构称为在另一衬底、另一层(或膜)、另一区域、另一垫或另一图案'之上'或'之下'时，其可"直接地"或"间接地"在另一衬底、层(或者膜)、区域、垫或图案上。 图1是示出根据第一实施方案的半导体发光器件的侧视截面图；图2是示出图1所示的半导体发光器件的底视图。 参考图1和2，半导体发光器件100包括发光结构135、具有突起145的沟道层140、电极层150和导电支撑构件160。 半导体发光器件100包括化合物半导体例如基于III-V族化合物半导体的LED，并且该LED可包括发出蓝光、绿光或红光的有色LED或UVLED。在实施方案的技术范围内，LED发出的光可不同。 发光结构135包括第一导电半导体层110、有源层120和第二导电半导体层130。 第一导电半导体层110可包括选自GaN、 A1N、 AlGaN、 InGaN、 InN、 InAlGaN、 Al InN、AlGaAs、 GaP、 GaAs、 GaAsP和AlGalnP中的一种，其为掺杂有第一导电掺杂剂的III-V族元素化合物半导体。当第一导电半导体层110为N-型半导体层时，第一导电掺杂剂包括N-型掺杂剂，例如Si、Ge、Sn、Se或Te。第一导电半导体层110可具有单层或多层。然而，实施方案不限于此。 具有预定形状或预定图案的电极171形成在第一导电半导体层110下方，并可具有预定形状或者可形成为预定图案。然而，实施方案不限于此。第一导电半导体层110可在其下表面上提供有粗糙图案。 有源层120形成在第一导电半导体层IIO上并可具有单量子阱结构或多量子阱结构。有源层120可具有使用III-V族元素化合物半导体材料的阱层和势垒层的结构。例如，有源层120可具有InGaN阱层和GaN势垒层的结构。在有源层120上和/或下方可形成导电覆层，并可包括AlGaN基层。 第二导电半导体层130形成在有源层120上，并可包括选自GaN、 A1N、 AlGaN、InGaN、 InN、 InAlGaN、 AlInN、 AlGaAs、 GaP、 GaAs、 GaAsP和AlGalnP中的一种，其是掺杂有第二导电掺杂剂的III-V族元素化合物半导体。当第二导电半导体120是P-型半导体层时，第二导电掺杂剂包括P-型掺杂剂例如Mg和Zn。第二导电半导体层120可具有单层或多层。然而，实施方案不限于此。 发光结构135可包括在第二导电半导体层120上的N-型半导体层或P-型半导体层。此外，第一导电半导体层110可提供为P-型半导体层，第二导电半导体层130可提供为N-型半导体层。发光结构135可包括选自N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构和P_N_P结结构中的至少一种。 沟道层140和电极层150形成在第二导电半导体层130上。沟道层140沿发光结构135的上表面的周边部分形成，电极层150形成在发光结构135的上表面的内侧。 沟道层140可为带形、环形或框形，并可以沿第二导电半导体层130的周边表面形成为圆型或多边形。5 沟道层140的内侧与第二导电半导体层130的上表面的外侧接触，沟道层140的外侧延伸至沟道层140的外侧暴露于发光结构135的周边表面103的程度。因此，沟道层140设置为使得发光结构135的外壁可以与电极层150或导电支撑构件160间隔开。 沟道层140可包括透明绝缘材料或透明导电材料。例如，沟道层140可包括选自Si02、Si0x、Si0xNy、Si3N4、Al203、Ti02、氧化铟锡(IT0)、氧化铟锌(IZ0)、氧化铟锌锡(IZT0)、氧化铟锌铝(IAZ0)、氧化铟镓锌(IGZ0)、氧化铟镓锡(IGT0)、氧化铝锌(AZ0)、氧化锑锡(ATO)、氧化镓锌(GZO) 、 IrOx、 RuOx、 Ru0x/IT0、 Ni/IrOx/Au和Ni/IrOx/Au/ITO中的至少一种。 沟道层140可包括激光能够从中穿过的材料或者当激光从中穿过时不产生碎片的材料。此外，沟道层140可包括可接合至第二导电半导体层130的材料的透明材料。 突起145形成在沟道层140的内侧的下表面。突起145朝向发光结构135突出，即突起145向下突出，所以可增加沟道层140的粘附力。 沟道层140的突起145可在第二导电半导体层130上形成为具有凹凸部分的带状。突起145可以提供为沿第二导电半导体层130上部的周边部分的连续图案例如闭环或不连续图案。此外，在第二导电半导体层130上形成的突起145可具有单结构、双结构或多结构，并可具有曲折形状图案、不规则形状图案等。 沟道层140的突起145可具有多边形截面形状、例如三角形、矩形、菱形或梯形、角状截面形状、半球形截面形状和半椭圆形截面形状。在实施方案的技术范围内，突起145的形状可以改变。 突起145可具有约10nm 约300nm的高度Hl (即突起长度)。双突起145可具有相同的高度或者彼此不同的高度。例如，双突起145的高度可朝向第二导电半导体层130的外侧部分减小或者增加。 沟道层140的突起145可与发光结构135的外壁间隔开预定距离Dl，例如约1 ii m 约5 ii m，并且距离Dl可根据发光结构1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光器件，包括：包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的多个化合物半导体层；在所述多个化合物半导体层上的电极层；和包括突起并沿所述多个化合物半导体层的上表面的周边部分形成的沟道层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：丁换熙，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]