发光二极管及发光二极管亮度控制方法技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管及发光二极管亮度控制方法，此控制方法包括：首先，预先设定发光二极管的发光效能预设标准值；接着，测量待测发光二极管的发光效能；之后，计算待测发光二极管的发光效能与预设标准值的差异值；最后，根据此差异值设定吸光层的结构，并将吸光层设置于待测发光二极管的出光面外的发光路径中。发光二极管利用吸光材料形成吸光层，并设置于其发光路径中，在不影响大部分光线进行路径的状况下吸收少量光线，并通过测量每个发光二极管的发光效能后，设定对应的吸光层结构，因此，可使每个发光二极管具有一致且足够的发光效能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光二极管技术，尤其涉及一种可在制造过程中控制发 光亮度的。
技术介绍
随着电子技术的日新月异，显示装置已成为日常生活及工作环境中不可 缺少的产品，随着显示装置朝向薄型化与环保化的趋势发展，发光二极管渐 渐取代冷阴极管成为显示装置内部的发光源。当显示装置因亮度或显示范围需求必须使用多颗发光二极管作为光源 时，通常需要多个发光二极管发光强度相同，使显示装置的亮度与显示范围 能符合所需的发光强度分布。例如，现有的大中型电视均具有对于发光强度 的需求，所以必须应用多颗发光二极管分别照射各个区域，并搭配适合的导 光板与扩散片，以产生足够亮度与均匀度的发光源。但是，每个发光二极管之间的发光强度差异会造成各个照明区域间有显 著的亮度差异。为了改善这个问题，当前显示装置厂商以分类的方式取得相 近发光强度的发光二极管，作为大中型电视的发光源。但是在同一工序生产 的晶圆片上的发光二极管仍存在发光效率的差异，当其应用于平均发光亮度 较严格的显示装置时，发光二极管的生产质量难以满足要求，同时，分类作 业会提高生产的成本与备料的困难度。
技术实现思路
本专利技术的目的之一在于提供一种可控制发光亮度的发光二极管，可使每 个发光二极管具有一致且足够的发光效能。为达到上述目的，本专利技术所提供的发光二极管具有基板、第一金属接脚、 第二金属接脚、发光芯片、导线、封装部与吸光层，第一金属接脚与第二金 属接脚分别设置于基板上，发光芯片设置于第一金属接脚上，导线连接发光芯片与第二金属接脚，封装部包覆发光芯片与导线并形成出光面，发光芯片可发出光束，光束于出光面外部形成发光路径，吸光层由吸光材料构成并设置于发光二极管的出光面外的发光路径中。本专利技术的另一目的在于提供一种如上述发光二极管的亮度控制方法。 为达到上述目的，本专利技术所提供的发光二极管的亮度控制方法包括以下歩骤步骤一设定发光二极管的发光效能预设标准值； 歩骤二测量并记录待测发光二极管的发光效能；步骤三计算待测发光二极管的发光效能与预设标准值的差异值；及 步骤四根据此差异值，调整吸光层的结构并将吸光层设置于待测发光 二极管的出光面外的发光路径中。因此，本专利技术的发光二极管利用吸光材料形成吸光层，并设置于出光面 外的发光路径中，在不影响大部分光线进行路径的状况下吸收少量光线，所 以，经由调整吸光层结构，可使每个发光二极管具有一致且足够的发光效能。附图说明在说明书附图中图1为本专利技术发光二极管第一实施例的结构剖视图。 图2为本专利技术发光二极管亮度控制方法的步骤流程图。图3为本专利技术发光二极管吸光层由吸光微粒构成的步骤流程图。 图4为本专利技术发光二极管设有吸光微粒的吸光层的结构剖视图。 图5为本专利技术发光二极管吸光层由不同穿透率可塑性材料构成的步骤流程图。图6为本专利技术发光二极管吸光层第三实施例由不同穿透率可塑性材料以 上下叠层方式构成的结构剖视图。图7为本专利技术发光二极管吸光层由不同穿透率可塑性材料以左右叠层方 式构成的结构剖视图。图8为本专利技术发光二极管吸光层由不同穿透率可塑性材料以倾斜叠层方 式构成的结构剖视图。图9为本专利技术发光二极管吸光层由不同穿透率可塑性材料以混合方式构成的结构剖视图。图IO为本专利技术发光二极管第 图ll为本专利技术发光二极管结 其中，附图标记说明如下 发光二极管9 第一金属接脚901发光芯片903 封装部905 出光面907 吸光层909低穿透率可塑性材料911 透明光学元件913二实施例的结构剖视图。 第三实施例的结构剖视图。基板900第二金属接脚902导线904反射壁906荧光微颗粒908吸光微粒910高穿透率可塑性材料912光反射元件91具体实施方式以下参照实施例并配合附图详细说明本专利技术的
技术实现思路
、构造特征、所 实现目的及效果。参照图l，本专利技术第一实施例中，发光二极管9设有基板900，基板卯O 上设有第一金属接脚901、第二金属接脚902、发光芯片903、导线904、封 装部905与反射壁906。发光芯片903与导线904设置于基板900与反射壁 906所形成的空间内，发光芯片903设置于第一金属接脚901上，导线904 连接发光芯片903与第二金属接脚902，封装部905填充于基板900与反射 壁906所形成的空间内，并包覆发光芯片903与导线904形成出光面907， 封装部905中可掺杂分布有荧光微颗粒908或为完全透明。发光二极管9工作时，第一金属接脚901与第二金属接脚902分别导入 正负电压后，可激发发光芯片903发出光束，使用完全透明的封装部905时， 发光芯片903的激发光穿透封装部905由出光面907发出，使用含荧光微颗 粒908的封装部905时，选择发光芯片903射出光束的发光频谱与荧光微颗 粒908的吸收与发光频谱后，可使其相互作用并产生所需发光频谱的出射光， 且此出射光由发光二极管9的出光面907射出后形成发光路径(图中箭头所 示)，于发光二极管9的发光路径上设置有吸光层909。本专利技术第一实施例中，吸光层卯9贴附于出光面907上。参照图2，本专利技术发光二极管亮度控制方法100包括以下步骤歩骤l:测量并记录发光二极管9的发光效能；步骤2:计算并判断发光二极管9的发光效能是否介于预设容许值范围内，若发光二极管9的发光效能介于预设容许值范围内，执行步骤3，若发 光二极管9的发光效能低于预设容许值，执行步骤4，若发光二极管9的发光效能高于预设容许值范围，执行步骤5;歩骤3:发光二极管9的发光效能符合需求，不必进行调整并可直接使用；步骤4:发光二极管9的发光效能不符合需求，不能进行调整且不可使 用；及步骤5:于发光二极管9的出光面907上形成吸光层909，以降低发光 二极管9的发光效能，使发光二极管9的发光效能介于预设容许值范围内。参照图3，本专利技术实施例中，形成吸光层909可包含下列步骤步骤50:计算发光二极管9的发光效能与预设标准值的差异值；及步骤51:对发光二极管9的出光面907喷涂吸光微粒910以形成吸光层 909，吸光微粒910的喷涂数量与上述差异值成正比。在实施时，可预先设定发光二极管9发光效能的预设标准值为每瓦100 流明，而容许值范围为标准值的正负百分之一，即每瓦99流明至每瓦101 流明，当发光二极管9发光效能超过每瓦101流明时，可使用微控制喷出量 的喷嘴对发光二极管9的出光面907进行一次性喷涂，以形成吸光层909， 当发光二极管9发光效能与预设标准值之间的差异值较大时，可喷涂大量的 暗色吸光微粒910，当差异值较小时，可喷涂微量的暗色吸光微粒910。另外，也可使用可微控制喷出时间的喷嘴对发光二极管9的出光面907 进行连续喷涂，以形成吸光层909，当发光二极管9的发光效能与预设容许 值之间的差异值较大时，喷涂时间较长，相反地，当差异值较小时，喷涂时 间较短。参照图4，发光二极管9的吸光层909由暗色吸光微粒910所组成。因此，吸光微粒910的喷涂数量或厚度可依照发光二极管9的发光效能 做调整，具有较高发光效能的发光二极管9可喷涂较多的吸光微粒910，使 吸光层卯9的厚度较厚，而具有较低发光效能但仍高于预设容许值的发光二极管9可喷涂较少的吸光微粒，使吸光层909的厚度较薄，发光效能介于预 设容许值范围内的发光二极管9则不喷涂，而喷涂暗色吸本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管，包括一基板，基板上设置有一第一金属接脚、一第二金属接脚和一封装部，第一金属接脚上设置有一发光芯片；发光芯片与第二金属接脚之间连接有一导线；封装部包覆发光芯片与导线并形成一出光面；发光芯片可发出光束，光束于出光面外部形成发光路径；其特征在于：出光面外部的发光路径中设置有一由吸光材料构成的吸光层。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，包括一基板，基板上设置有一第一金属接脚、一第二金属接脚和一封装部，第一金属接脚上设置有一发光芯片；发光芯片与第二金属接脚之间连接有一导线；封装部包覆发光芯片与导线并形成一出光面；发光芯片可发出光束，光束于出光面外部形成发光路径；其特征在于出光面外部的发光路径中设置有一由吸光材料构成的吸光层。2. 如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于所述吸光层的吸光材 料贴附于出光面上。3. 如权利要求l所述的发光二极管，其特征在于所述出光面外的发光 路径中设置有一透明光学元件，吸光材料贴附于透明光学元件上。4. 如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于所述出光面外的发光 路径中设置有一光反射元件，光反射元件与出光面形成一倾斜角度，吸光层 的吸光材料贴附于光反射元件面向出光面的一侧。5. 如权利要求l所述的发光二极管，其特征在于所述吸光材料为吸光 微粒。6. 如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于所述吸光材料包括一 具有较高穿透率可塑性材料及一具有与较高穿透率可塑性材料相同光学特 性的较低穿透率可塑性材料。7. —种发光二极管亮度控制方法，其特征在于，包括-首先，设定一发光二极管的发光效能预设标准值； 其次，测量并记录待测发...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈伟，李远林，杨玉千，
申请(专利权)人：光燿科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]