半导体发光器件制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体发光器件。所述半导体发光器件包括：包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的多个化合物半导体层；在所述多个化合物半导体层下方的垫；在所述多个化合物半导体层上的电极层；和设置在所述多个化合物半导体层上并对应于所述垫的减震构件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施方案涉及半导体发光器件。
技术介绍
III-V族氮化物半导体由于其物理和化学特性而作为发光二极管(LED)或激光二极管(LD)的芯材料得到关注。III-V族氮化物半导体主要包括组成通式为InxAlyGai—x—yN(0《x《l，0《y《l，0《x+y《l)的半导体材料。 LED是一种半导体器件，其利用化合物半导体的特性通过将电转化为红外线或光来传输/接收信号并且用作光源。 采用这种氮化物半导体的LED和LD主要用于发光器件以获得光，并已经作为光源应用于各种设备(例如，便携式电话的键盘、电布告板、照明装置的发光部件)。
技术实现思路
本专利技术实施方案提供一种半导体发光器件，其包括在对应于垫的位置处提供的减震构件。 本专利技术实施方案提供一种半导体发光器件，其包括在对应于垫的多个化合物半导体层上提供的减震构件。 本专利技术实施方案提供一种半导体发光器件，其包括在多个化合物半导体层上提供的减震构件和在所述化合物半导体层的周边部分下方的沟道层。 一个实施方案提供一种半导体发光器件，包括包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的多个化合物半导体层；在所述多个化合物半导体层下方的垫；在所述多个化合物半导体层上的电极层；和设置在所述多个化合物半导体层上并对应于所述垫的减震构件。 —个实施方案提供一种半导体发光器件，包括包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的多个化合物半导体层；在第一导电半导体层的周边部分的透明沟道层；在所述多个化合物半导体层下方的垫；在所述多个化合物半导体层上的电极层；在所述电极层上的导电支撑构件；和对应于所述垫并形成在电极层和导电支撑构件之间的减震构件。 在附图和以下说明中阐述了一个或多个实施方案的细节。通过说明书和附图以及通过权利要求将使其它特征变得显而易见。附图说明 图1是示出根据第一实施方案的半导体发光器件的侧视截面 图2是图1的底视图； 图3 9是示出图1的半导体发光器件的制造方法的图； 图10是示出根据第二实施方案的半导体发光器件的侧视截面图； 图11是示出根据第三实施方案的半导体发光器件的侧视截面图；禾口 图12是示出根据第四实施方案的半导体发光器件的侧视截面图。具体实施例方式以下，将参考附图来描述根据实施方案的半导体发光器件。 在关于实施方案的说明中，附图所示元件的尺寸只是用于说明性目的，实施方案不限于此。 在实施方案的说明中，应理解的是，当层(或膜)、区域、图案或结构被称为在另一衬底、另一层(或膜)、另一区域、另一垫或另一图案"之上"或"之下"时，其可以"直接地"或"间接地"在其它的衬底、层(或膜)、区域、垫或图案上，或者也可以存在一个或多个中间层。层的这种位置已经参照附图进行描述。 图1是示出根据第一实施方案的半导体发光器件100的侧视截面图，图2是图1的底视图。 参照图1和2，半导体发光器件100包括第一导电半导体层110、有源层120、第二导电半导体层130、电极层150、减震构件155、导电支撑构件160和垫170。 半导体发光器件100包括基于多个化合物半导体例如III-V族元素化合物半导体的发光二极管(LED)。 LED可以是发蓝光、绿光或红光的有色LED或UV LED。在实施方案范围内，LED发出的光可以不同。 化合物半导体层包括第一导电半导体层110、有源层120和第二导电半导体层130。 第一导电半导体层110可包括GaN、 A1N、 AlGaN、 InGaN、 InN、 InAlGaN、 Al InN、AlGaAs、 GaP、 GaAs、 GaAsP或AlGalnP，其为掺杂有第一导电掺杂剂的III-V族元素化合物半导体。当第一导电半导体为N-型半导体时，第一导电掺杂剂包括N-型掺杂剂，例如Si、Ge、Sn、Se或Te。第一导电半导体层110可包括单层或多层，但是实施方案不限于此。 在第一导电半导体层110下方形成垫170。垫170可具有预定形状和预定图案，但是实施方案不限于此。垫170可设置在第一导电半导体层110的下部的中心处以供给电流。垫170可为圆形或多边形形状。垫170连接至在第一导电半导体层110下方形成的第一电极(未显示)，或者可为第一导电半导体层iio另外提供第一电极，但是实施方案不限于此。 垫170可利用Ti、Al、In、Ta、Pd、Co、Ni、Si、Ge、Ag或Au形成，但是实施方案不限于此。 有源层120形成在第一导电半导体层IIO上并且可具有单量子阱结构或多量子阱结构。有源层120可具有使用III-V族元素化合物半导体材料的阱层和势垒层的结构。例如，有源层120可具有InGaN阱层/GaN势垒层的结构。在有源层120上方和/或下方可形成导电覆层，其可包括AlGaN基半导体。 在有源层120上形成第二导电半导体层130。第二导电半导体层130可包括GaN、5AlN、AlGaN、 InGaN、 InN、 InAlGaN、 AlInN、 AlGaAs、 GaP、 GaAs、 GaAsP或AlGalnP，其是掺杂有第二导电掺杂剂的III-V族元素化合物半导体。当第二导电半导体是P-型半导体时，第二导电掺杂剂包括P-型掺杂剂例如Mg或Zn。第二导电半导体层130可具有单层或多层，但是实施方案不限于此。 第一导电半导体层110、有源层120和第二导电半导体层130可定义为发光结构。 第二导电半导体层130可在其上提供有N-型半导体层或P-型半导体层。第一导电半导体层110可实现为P-型半导体层，第二导电半导体层130可实现为N-型半导体层。相应地，发光结构可包括N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构和P-N-P结结构中的至少一种。 在第二导电半导体层130和电极层150之间形成层或多个图案，因此由于电阻差异所导致的电流分配可得到分散。所述层或所述多个图案包括Si02、 SiOx、 SiOxNy、 Si3N4、Al203、Ti02、 ITO、 IZO、 IZTO、 IAZO、 IGZO、 IGTO、 AZO、 ATO、 GZO、 IrOx和RuOx中的至少一种。 在第二导电半导体层130上形成电极层150。电极层150可包括反射电极层、欧姆接触层和粘附层中的至少一种。电极层150可包含金属材料和氧化物材料中的至少一种。反射电极层可包含Ag、 Ni、 Al、 Rh、 Pd、 Ir、 Ru、 Mg、 Zn、 Pt、 Au、 Hf或上述元素的选择性组合中的至少一种。欧姆接触层可包含选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、IZTO(氧化铟锌锡)、IAZO (氧化铟铝锌)、IGZO (氧化铟镓锌)、IGTO (氧化铟镓锡)、AZO (氧化铝锌)、ATO(氧化锑锡)、GZO(氧化镓锌)、IrOx、 RuOx、 RuOx/ITO、 Ni/IrOx/Au和Ni/IrOx/Au/ITO、Pt、Ni、Au、Rh和Pd中的至少一种。粘附层可包含Ti、 Au、 Sn、 Ni、 Cr、 Ga、 In、Bi、Cu、Ag和Ta中的至少一种。电极层150可由籽金属形成。 在电极层150和第二导电半导体层130之间可进一步形成欧姆接触层(未显示)。该欧姆接触层可包括层或多个图案。该欧姆接触层包含选自氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光器件，包括：多个化合物半导体层，其包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；在所述多个化合物半导体层下方的垫；在所述多个化合物半导体层上的电极层；和设置在所述多个化合物半导体层上并对应于所述垫的减震构件。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：丁换熙，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]