The invention discloses a method for improving the performance of transistor, the method by using a current source of constant current of the base bias of the transistor, and the base of constant current right by improving the bias conditions, so that the larger VA transistor, the invention can not affect the transistor amplification coefficient of the transistor gain larger VA to improve the performance of the transistor.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于，特别是关于一种通过调整偏置状况来提高晶体管性能的方法。
技术介绍
随着半导体技术的发展，人们对电子产品的性能要求也越来越高，这就对相应电 路设计的性能要求也越来越高。 输出电导g。是电路设计的一个重要参数，一般用欧拉电压VA来表征器件的输出 电导，早期模型中，只考虑基极宽度调制效应，欧拉电压VA，和输出电导g。的关系可以简单描述为g。 =^-唭中Ic表示三极管集电极电流。欧拉电压VA目越大，输出电导g。越小，表示晶体管的带负载性能越好，因此如何获得较大欧拉电压VA以使晶体管保持良好 的性能一直是电路设计者们追逐的目标。 现有技术中，通常采用更改双极晶体管物理尺寸或掺杂浓度来获得较大的VA，然 而，由于半导体器件的物理特性，尤其以双极晶体管为例，PXVA是一个常数，这里13指 的是双极晶体管电流放大系数，此时，若单纯通过改变双极晶体管的物理特性，如尺寸或掺 杂，获得较大VA，必然会降低双极晶体管的电流放大系数13 ，这导致电路放大能力的损失， 并不符合改善电路整体性能的初衷，这种牺牲电流放大系数来获得较大的VA在电路设计 不能根本改善电路性能。...
【技术保护点】
一种提高晶体管性能的方法，包括如下步骤： 选择一电流源； 利用该电流源对该晶体管进行基极电流偏置； 调整该电流源使该晶体管基极产生一中等基极偏置电流。
【技术特征摘要】
一种提高晶体管性能的方法，包括如下步骤选择一电流源；利用该电流源对该晶体管进行基极电流偏置；调整该电流源使该晶体管基极产生一中等基极偏置电流。2. 如权利要求1所述的提高晶体管性能的方法，其特征在于，该中等基极偏置电流的 大小至少使得该晶体管自热效应产生的VA—SH小于0。3. 如权利要求1所述的提高晶体管性能的方法，其特征在于，该中等基极偏置电流的 大小使得该晶体管自热效应产生...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈天兵，彭树根，曼纽拉内耶，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31[]
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