The invention provides a method for measuring model and bipolar transistors in contact or via holes for resistance, resistance of contact holes and via holes in the process of measuring transistor device back-end value measurement model is composed of a plurality of resistance elements. To measure the resistance of the contact hole, it is necessary to design a set of polysilicon resistors or diffusion resistors of different lengths and widths, and to measure the resistance of the through hole, a group of metal resistors of different lengths and widths shall be designed. The polysilicon resistor is composed of a polysilicon layer, a contact hole and a metal lead. The diffusion resistance is composed of N or P type diffusion layers, contact holes and metal leads. The contact hole is between the polysilicon layer or the diffusion layer and the metal layer, and is used for extracting polysilicon resistor or diffusion resistor. The metal resistor is composed of a layer of metal, through hole and metal. The through hole is between two layers of metal and is used for the extraction of the lower metal resistance. A voltage is applied at each of the two resistor terminals of each resistor to measure current through these resistors.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种测量电阻的测量模型和方法,更涉及测量一种SiGe工艺制 程的双极型晶体管中接触孔或通孔的测量模型和方法。
技术介绍
晶体管工艺制程中需要接触孔(contact)和通孔(via)作为器件的引出之 用,接触孔和通孔是不同层之间的连接部分,接触孔在多晶硅(poly)或扩散层 (diffusion active area)和金属(metal)之间,而通孑L是在金属和金属之间。在SiGe工艺的晶体管制造过程中,需要监控接触孔或通孔的电阻。已有的 测量接触孔或通孔电阻的测量^^型如图1和图2所示。图1所示为现有技术中的测量接触孔电阻的测量模型。测量模型包括N+/P+ 扩散区硅化物电阻层(或多晶硅硅化物电阻层)101、金属层102,接触孔103, 金属引出104和105(直到到工艺中的最高层金属或测试时所用的最高层金属)。 当然,晶体管器件还包括在硅片里掺杂P型离子而形成的P阱,和器件间的STI 隔离。当欲测量晶体管器件中的接触孔103的电阻时,通常是从通过金属层102 上的金属引出104、 105上加电压V,电流会流经金属层102、接触孔103和N+/P+ 扩散区硅化物电阻层或多晶硅硅化物电阻层101,以及金属引出104和105,测 量流经电阻的电流I,即可得出电流流经的这些金属层102、接触孔103和N+/P+ 扩散区硅化物电阻层或多晶硅层101,以及金属引出104和105所构成的电阻值 R, R=V/I。在通常的测量工序中,由于金属引出和多晶硅层的电阻值较低,忽略不计, 这样,单个接触孔103的电阻值Rc=R/n (n为电流流经路径中接触孔10 ...
【技术保护点】
一种测量模型,该测量模型运用于测量双极型晶体管器件中的接触孔电阻值,其特征是,该测量模型包括:多个电阻器件,每个该电阻器件包括:多晶硅层或扩散层;接触孔,在该多晶硅层和该金属层之间,位于该多晶硅层或扩散层的两端和金属引出一起用于电阻的引出;金属引出,用于电阻测量时外加偏值电压,其中每组该电阻器件中的该多晶硅层具有不同的长度和宽度。
【技术特征摘要】
1.一种测量模型,该测量模型运用于测量双极型晶体管器件中的接触孔电阻值,其特征是,该测量模型包括多个电阻器件,每个该电阻器件包括多晶硅层或扩散层;接触孔,在该多晶硅层和该金属层之间,位于该多晶硅层或扩散层的两端和金属引出一起用于电阻的引出;金属引出,用于电阻测量时外加偏值电压,其中每组该电阻器件中的该多晶硅层具有不同的长度和宽度。2. 根据权利要求l所述的测量模型,其特征是,该模型适用于SiGe工艺的 双极型晶体管。3. —种应用如权利要求1所述的测量模型的测量方法,用于测量SiGe双极 型晶体管器件中的接触孔的电阻值,其特征是,包括以下步骤a. 在连接到某一电阻器件的该金属引出的两端加电压V;b. 测量该电阻器件的电流I;c. 根据公式I^V/1,计算该电阻器件的电阻值R;d. 多次在具有不同长、宽的多晶硅层或扩散层的电阻器件上重复步骤a c;e. 根据数学模型,拟合出多个不同尺寸电阻器件的电阻值R和这些多晶硅 层或扩散层的长宽比之间的相关曲线;以及f. 该曲线的截距即为两倍该接触层的电阻值Rc。4. 根据权利要求3所述的测量方法,其特征是,其中该电阻器件的电阻值 R与多晶硅层或扩散层的长和宽,即L和W的关系表示为<formula>formula see original document page 2</f...
【专利技术属性】
技术研发人员:王兵冰,许丹,
申请(专利权)人:上海宏力半导体制造有限公司,
类型:发明
国别省市:31[中国|上海]
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