掩模及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种在曝光工艺中使用的掩模及其制造方法，该掩模包括：形成于光刻版衬底上方的主图样；形成于光刻版衬底上方且与主图样隔离开预定距离的多个虚拟图样；以及形成于多个虚拟图样中的至少一个上方的光屏蔽层。虚拟图样可以包括一个精细虚拟图样，该精细虚拟图样具有的分辨率等于或小于极限分辨率，以便在曝光工艺期间不在晶片上形成图样图像。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件，更具体地，涉及一种用于半导体 器件图样化的掩模以及制造该掩模的方法。
技术介绍
在半导体制造工艺的曝光工艺中使用的光刻版(掩膜版， reticle )可以是具有图样化的图像的透明板，该图样化的图像将被 传达至涂覆光刻胶的晶片。完美地制造光刻版是至关重要的。晶片 的电路(线路，circuit)最终由光刻版来图样化。在致力于确定晶 片上和/或上方的半导体器件的逐渐减小的临界尺寸(critical dimension ) ( CD )的过程中，使用具有短波长的光源(例如，ArF 193nm)实施曝光工艺。此外，已经开发了相移掩才莫并将其用于曝 光工艺中。在半导体晶片的制造过程中，利用光刻技术形成光刻胶图样可 能会产生闪光噪声(耀斑噪声，flare noise )。当形成并暴露4奄才莫图 样(例如，光刻版)以提供具有与掩模图样对应的图样的晶片时， 闪光噪声会使设置于晶片上和/或上方的图样的CD产生波动。众所周知的是，闪光噪声的产生是由于已经穿过掩模图样的光束失去了 其光路，并且位于低密度图样区中的曝光光线的强度提高。图1A示出了没有闪光噪声的第一空间4象(ae本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩模，包括：　主图样，形成于光刻版衬底上方；　多个虚拟图样，形成于所述光刻版衬底上方并且以预定的距离与所述主图样隔离开；以及　光屏蔽层，形成于所述多个虚拟图样中的至少一个的上方。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金锺斗，
申请(专利权)人：东部高科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]