栅氧化层形成方法技术

本发明专利技术公开了一种栅氧化层形成方法，所述栅氧化层形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有浅沟槽隔离结构；在所述浅沟槽隔离结构两侧的半导体衬底上形成垫氧化层；进行离子注入工艺；在所述半导体衬底上形成栅隔离层并刻蚀所述栅隔离层，以形成栅极区；在所述栅极区形成第一栅氧化层；依次去除所述栅隔离层和垫氧化层，同时，所述第一栅氧化层被部分刻蚀以形成第二栅氧化层。本发明专利技术无需在栅氧化层上形成掩膜层，有利于节约生产成本，提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种。
技术介绍
目前，DMOS器件主要包括两种类型垂直扩散金属氧化物半导体(Vertical Diffused Metal Oxide Semiconductor, VDMOS)器件以及横向扩散金属氧化物半导体 (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor, LDM0S)器件。其中，LDMOS 器件具有 工作电压高、工艺相对简单、易于与其它工艺兼容等优点，因而常应用于高压集成电路。在LDMOS器件的制造工艺中，栅氧化层(GOX)的形成至关重要。详细的，请参考图 IA 1H，其为现有的一种的各步骤相应结构的剖面示意图。如图IA所示，首先，提供半导体衬底100，所述半导体衬底100中形成有浅沟槽隔 离结构101。如图IB所示，然后，在所述浅沟槽隔离结构101两侧的半导体衬底100上形成垫 氧化层110。所述垫氧化层110的材质是二氧化硅，其可利用热氧化的方式形成，利用氧原 子与半导体衬底100中的硅发生反应，从而生成硅的氧化物，最后在半导体衬底100上选择 性的形成垫氧化层110。所述垫氧化层1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种栅氧化层形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有浅沟槽隔离结构；在所述浅沟槽隔离结构两侧的半导体衬底上形成垫氧化层；进行离子注入工艺；在所述半导体衬底上形成栅隔离层并刻蚀所述栅隔离层，以形成栅极区；在所述栅极区上形成第一栅氧化层；依次去除所述栅隔离层和垫氧化层，同时，所述第一栅氧化层被部分刻蚀以形成第二栅氧化层。

【技术特征摘要】
一种栅氧化层形成方法，其特征在于，包括提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有浅沟槽隔离结构；在所述浅沟槽隔离结构两侧的半导体衬底上形成垫氧化层；进行离子注入工艺；在所述半导体衬底上形成栅隔离层并刻蚀所述栅隔离层，以形成栅极区；在所述栅极区上形成第一栅氧化层；依次去除所述栅隔离层和垫氧化层，同时，所述第一栅氧化层被部分刻蚀以形成第二栅氧化层。2.如权利要求1所述的栅氧化层形成方法，其特征在于，所述垫氧化层的厚度为 100-450 A03.如权利要求2所述的栅氧化层形成方法，其特征在于，所述第一栅氧化层的厚度为 950 1150A。4.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：令海阳，叶滋婧，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]