干法刻蚀ＴａＮ电极的方法技术

本发明专利技术提出一种干法刻蚀ＴａＮ电极的方法，该方法采用含Ｆ气体对所述ＴａＮ电极进行干法刻蚀，所述含Ｆ气体包括ＣＦ４，ＣＨＦ３和Ａｒ三种气体。气体ＣＦ４和ＣＨＦ３作为等离子体刻蚀化学作用Ｆ自由基的来源，Ａｒ则作为稀释和轰击作用。本发明专利技术通过细化工艺参数，能够得出满足生产实际需求的条件。优点在于突破刻蚀ＴａＮ的压力温度限制和气体选择范围，低温下刻蚀气体从Ｃｌ类扩展到以Ｆ为主的气体，增加ＴａＮ电极可刻蚀的设备类型。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造工艺
，特别涉及到电容耦合等离子体刻蚀设备 低压低温度下TaN电极干法(等离子体)刻蚀方法。
技术介绍
随着集成电路制造技术的不断发展，TaN材料应用也越来越广，主要有三个方面 第一，铜互连材料阻挡层，铜互连层主要由TaN/Ta/Cu层构成，TaN层具有良好铜扩散阻挡 作用和较佳的介质层接触性能；第二为TaN金属栅应用，尤其对于65nm及其下技术代，由于 具有良好的热稳定性及与高K值(high-k)材料匹配性好，TaN常被用来作为栅金属材料; 第三，微机电系统MEMS电极材料。对于铜阻挡层材料TaN，由于采取大马士镶嵌结构，不需 要移除TaN，故对TaN刻蚀无要求。而对电极材料，因为要形成电极，则必须将不需要的TaN 移除即刻蚀掉。由于等离子体(干法)刻蚀相对于湿法刻蚀因为具有各向异性，在TaN精 细图案转移方面几乎占优势地位。等离子体主刻蚀气体为含卤素气体，主要为F，Cl，Br等， 由于Ta的卤化物具有较低的挥发性，故刻蚀难度挑战比较大。目前常用的刻蚀设备主要有电容耦合和电感耦合两种。其中电容耦合为中密度等 离子体，一般没有顶部(上)功率源，而电感本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种干法刻蚀ＴａＮ电极的方法，其特征在于，该方法采用含Ｆ气体对所述ＴａＮ电极进行干法刻蚀，所述含Ｆ气体包括ＣＦ４，ＣＨＦ３和Ａｒ三种气体。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李全波，姜利军，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，浙江大立科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]