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本发明提出一种干法刻蚀ＴａＮ电极的方法，该方法采用含Ｆ气体对所述ＴａＮ电极进行干法刻蚀，所述含Ｆ气体包括ＣＦ４，ＣＨＦ３和Ａｒ三种气体。气体ＣＦ４和ＣＨＦ３作为等离子体刻蚀化学作用Ｆ自由基的来源，Ａｒ则作为稀释和轰击作用。本发明通过细化工艺...该专利属于上海集成电路研发中心有限公司;浙江大立科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司;浙江大立科技股份有限公司授权不得商用。