【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体器件制造
，具体涉及一种半导体器件栅极侧墙的制备 方法，特别涉及一种采用Al2O3作为栅极侧墙的方法。
技术介绍
金属-氧化物-半导体晶体管(MOSFET)包括栅极、位于栅极两侧衬底中的源极和 漏极、栅极下方的电流沟道、以及位于栅极和电流沟道之间的栅氧化层。为了避免晶体管中 栅极和源极、漏极的短接，栅极侧墙工艺得到了广泛的应用。图1是一种应用栅极侧墙的隧 穿场效应晶体管的结构图，其中，在半导体衬底100上，所示106为晶体管开启时的电流沟 道，101为器件的源极，102为器件的漏极，104为器件的栅极，103为栅极104和电流沟道 106之间的栅氧化层。栅极侧墙105围绕在栅极104和栅氧化层103周围，一方面可以保护 栅极，另一方面可以防止大剂量的源极和漏极注入过于接近电流沟道以至于可能发生源极 和漏极之间的导通。栅极侧墙的制造工艺一般分为两步，首先在形成有栅极的整个半导体衬底上淀积 形成一层栅极侧墙材料，目前比较成熟的工艺是采用SiO2或Si3N4作为栅极侧墙材料，然后 通过回刻去除位于源极、漏极和栅极上方的栅极侧墙材料，从而只在栅...
【技术保护点】
一种半导体器件栅极侧墙的制备方法，采用高介电常数材料作为半导体器件的栅极侧墙；其特征在于，具体步骤如下：提供一个半导体衬底；在所述半导体衬底上形成有源区和多晶硅栅极；淀积一层高介电常数材料Ａｌ２Ｏ３；刻蚀所述高介电常数材料Ａｌ２Ｏ３，形成半导体器件的栅极侧墙。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：徐岩，孙清清，张卫，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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