存储元件与其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种存储元件的制造方法，此方法包括在基底上依序形成具 有栅极介电层结构的电荷储存结构，接着在电荷储存结构上方形成栅极导体 层，之后图案化栅极导体层以及至少部分电荷储存结构。图案化后的电荷储存 结构的剖面大致呈梯形或类梯形，此梯形或类梯形接近栅极导体层为短边而接 近基底为长边。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种半导体元件的结构及其制造方法，且特别是有关于一种 存储元件的结构及其制造方法。
技术介绍
电荷捕捉型存储元件是一种新的非易失性存储体。其是采用诸如是氮化硅电 荷捕捉层来取代传统的快闪存储元件中的多晶硅浮置栅层。由于电荷捕捉层的材质 具有捕捉电子的特性，因此，注入于电荷捕捉层中的电子并不会均匀分布于整个电 荷捕捉层中，而是以高斯分布的方式集中于电荷捕捉层的局部区域上。由于注入于 电荷捕捉层的电子仅集中于局部的区域，因此，对于隧穿氧化层其缺陷的敏感度较 小，元件漏电流的现象较不易发生。请参照图1，所示为传统的电荷捕捉型存储元件剖面局部放大图，此图中包括基底IOO、电荷捕捉层102以及栅极导体层104，其中电荷捕捉层102由第一氧化 物层102a、氮化物层102b、第二氧化物层102c所构成。由于在传统制造快闪存储 体的过程中，进行位元线蚀刻(Bit-line Etching)之后，会造成基底表面蚀刻过 深而有硅损失(Silicon-loss)的情况发生，此硅损失将会在多晶硅再氧化(poly re-oxidation)的过程中，导致过厚的氧化物入侵(Oxide En本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储元件的制造方法，包括：　形成包含一栅极介电层结构的一电荷储存结构；　在该电荷储存结构上形成一栅极导体层；以及　图案化该栅极导体层以及至少部份该电荷储存结构，使该图案化后的该电荷储存结构的剖面大致呈一梯形或类梯形，其中该电荷储存结构接近该栅极导体层为短边而接近该基底为长边。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈致霖，刘光文，陈昕辉，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71