温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种存储元件的制造方法，此方法包括在基底上依序形成具 有栅极介电层结构的电荷储存结构，接着在电荷储存结构上方形成栅极导体 层，之后图案化栅极导体层以及至少部分电荷储存结构。图案化后的电荷储存 结构的剖面大致呈梯形或类梯形，此梯形...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。