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本发明公开了一种采用Ａｌ２Ｏ３作为栅极侧墙的方法。采用原子层淀积工艺，不仅可以控制Ａｌ２Ｏ３栅极侧墙的横向尺寸，减小侧墙厚度，而且可以提高淀积Ａｌ２Ｏ３的均匀性。进一步的，采用低温原子层淀积工艺，既可以减少原子层淀积Ａｌ２Ｏ３的时间，又可以...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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