【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制作领域，具体的，本专利技术提供。
技术介绍
在半导体器件中，多晶硅浮栅的均勻性非常重要，如果多晶硅浮栅的均勻性比较差将直接影响半导体器件的性能。图1至图4是一种现有多晶硅浮栅的制作方法。首先，参照图1所示，提供多晶硅衬底102，所述多晶硅衬底102上形成有浅沟槽隔离区104，在所述浅沟槽隔离区104之间形成有沟槽；接着，参照图2所示，在所述浅沟槽隔离区104之间的沟槽底部形成栅氧化层106，并形成覆盖所述栅氧化层106和所述浅沟槽隔离区104的多晶硅层108，所述栅氧化层106 的厚度为90埃，所述多晶硅层108的厚度为1900埃；然后，参照图3所示，对所述多晶硅层108进行化学机械研磨，直到露出所述浅沟槽隔离区104 ；最后，参照图4所示，对所述多晶硅层108进行干法刻蚀，直到所述多晶硅层108的厚度为300埃。利用上述现有技术形成的多晶硅浮栅，由于后续研磨工艺带来变化因素，从而造成了浮栅厚度均勻性较差的问题。
技术实现思路
为解决现有技术中制作的多晶硅浮栅均勻性差的问题，本专利技术提供。为达到上述目的，本专利技术的自对准多晶硅浮栅的制作方...
【技术保护点】
一种自对准多晶硅浮栅的制作方法，包括如下步骤：提供多晶硅衬底，其上形成有至少两个浅沟槽隔离区，在所述浅沟槽隔离区之间形成有沟槽；在所述浅沟槽隔离区之间的沟槽底部形成栅氧化层，并依次形成覆盖所述栅氧化层和所述浅沟槽隔离区的第一多晶硅层和介质层；在所述介质层上形成第二多晶硅层；对所述第二多晶硅层进行化学机械研磨，直到露出部分所述介质层；利用氢氟酸溶液去除所述露出的介质层；干法刻蚀所述第二多晶硅层，然后湿法刻蚀剩余的低温氧化层，直到露出所述第一多晶硅层，剩余的所述第一多晶硅层为多晶硅浮栅。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张雄，曹子贵，石小兵，纪登峰，孔蔚然，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。