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本发明提供自对准多晶硅浮栅的制作方法，包括：提供多晶硅衬底，其上形成有至少两个浅沟槽隔离区，在所述浅沟槽隔离区之间形成有沟槽；在所述浅沟槽隔离区之间的沟槽底部形成栅氧化层，并依次形成覆盖所述栅氧化层和所述浅沟槽隔离区的第一多晶硅层和介质层；...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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