操作非易失存储器器件的方法技术

本发明专利技术公开了操作非易失存储器器件的方法。操作非易失存储器器件的方法包含预充电耦合到串的位线，向选定字线提供第一验证电压并且向除了所述选定字线之外的字线提供通过电压，向所述位线和感测节点之间耦合的开关元件提供第一感测脉冲并且检测均具有高于所述第一验证电压的阈值电压的存储器单元，向所述选定字线提供高于所述第一验证电压的第二验证电压，并且向除了所述选定字线之外的字线提供通过电压，以及向所述开关元件提供第二感测脉冲并且检测均具有高于所述第二验证电压的阈值电压的存储器单元。

【技术实现步骤摘要】

示例性实施例涉及，更具体地，涉及对非易失存储 器器件编程的方法，其能够减少进行验证操作所用的时间。
技术介绍
对非易失存储器器件进行编程、擦除、读取和验证操作。在进行编程或擦除操作的同时进行验证操作。具体地，随着被编程的数据的位数 的提高，针对编程操作进行验证操作所用的时间也增加。下面详细描述验证操作。图1是图解非易失存储器器件的图例。非易失存储器器件包含用于存储数据的存储器单元阵列10、用于选择位线BLe或 BLo的位线控制电路20和用于控制数据的输入和输出操作的页缓冲器30。存储器单元阵列10包含多个串Ste和Sto，每个串包含漏极选择晶体管DST和源 极选择晶体管SST。每个串还包含在漏极选择晶体管DST和源极选择晶体管SST之间串联 耦合的多个存储器单元FO到Fn。各串的漏极选择晶体管DST的漏极分别被耦合到位线BLe 和BLo，各串的源极选择晶体管SST的源极共同地被耦合到公共源极线CSL。各串的漏极选择晶体管DST的栅极被互连到漏极选择线DSL，各串的源极选择晶 体管SST的栅极被互连到源极选择线SSL。此外，沿跨过各串的行排列的存储器单元，即存 储器单元Fn的栅极被互连到对应的字线，即WLn。位线控制电路20包含偶开关元件21和奇开关元件22。偶开关元件21响应偶感 测脉冲BSLe而被操作，并且被配置成选择偶位线BLe。奇开关元件22响应奇感测脉冲BSLo 而被操作，并且被配置成选择奇位线BLo。页缓冲器30通过位线控制电路20被耦合到位线BLe和BLo中选定的一个，并且 被配置成在验证操作中验证选定存储器单元是否已经被编程。图2是图解编程非易失存储器器件的常规方法的图例。下面参考图1和2描述在选择偶位线BLe的情况下编程非易失存储器器件的操作。当进行编程操作时，页缓冲器30根据输入到页缓冲器30的数据将感测节点SO预 充电或放电。优选地，将耦合到要编程的单元的串的感测节点SO放电。当偶开关元件21 被提供逻辑高水平的偶感测脉冲BSLe并且接通时，偶位线BLe被放电到接地电压(OV)水 平。这里，当编程电压被提供给选定字线Sel. WL时，选定存储器单元被编程。通过电压被 提供给除了选定字线Sel. WL之外的剩余字线。通过上述编程操作，选定存储器单元的阈值 电压的每个可以上升到第一目标水平、第二目标水平或第三目标水平。当偶感测脉冲BSLe4和提供给选定字线Sel. WL的编程电压偏移到逻辑低水平时，编程操作被停止，于是进行验 证操作。进行验证操作以验证选定存储器单元的阈值电压的每个是否已经达到第一到第 三目标电压中选定的一个。因此，通过根据相应目标水平提供不同水平的验证电压来进行 验证操作。更具体地，存储器单元能够处于阈值电压低于OV的擦除状态，或能够处于阈值 电压高于OV的编程状态(即，按照更高阈值电压的顺序，第一状态PV1、第二状态PV2和第 三状态PV3)。因此，在验证操作中，可以进行第一验证操作、第二验证操作和第三验证操作。为了进行验证操作，感测节点SO被预充电到高电压水平。在第一验证操作中，第一验证电压Vrl被提供给选定字线Sel. WL。响应于具有第 一感测脉冲(Vl)水平的偶感测脉冲BSLe，偶开关元件21被接通。这里，第一感测脉冲Vl 是用于位线预充电脉冲的信号。预充电感测节点SO和偶位线BLe被耦合在一起，于是偶位 线BLe也被预充电到根据预充电的感测节点SO的电位的高电压水平。更具体地，偶位线 BLe被预充电到电压(Vl-Vt)水平。这里，电压Vt是偶开关元件21的阈值电压。当偶位线BLe被预充电并且偶感测脉冲BSLe变成低逻辑水平时，偶开关元件21 被断开。在偶开关元件21被断开期间，偶位线BLe能够具有根据选定存储器单元的阈值电 压水平的不同电压水平(A或B)。比如，如果选定存储器单元具有低于第一验证操作中的第 一目标水平的阈值电压，则在选定存储器单元中形成沟道，因而偶位线BLe的电压水平被 接地的公共源极线CSL(B)降低。另外，如果选定存储器单元具有高于第一目标水平的阈值 电压，则在选定存储器单元上未形成沟道，因而偶位线BLe的电压水平保持完好的(A)。于 是，偶感测脉冲BSLe变成第二感测脉冲(V2)水平，并且在第二验证操作中，页缓冲器30感 测偶位线BLe的电压水平的偏移。另外，在第二验证操作和第三验证操作的每个中，在对应位线被预充电之后进行 感测操作。因此，可以增加进行验证操作所用的时间。
技术实现思路
示例性实施例涉及，其中在位线被预充电一次之后 连续进行存储器单元的验证操作，从而能够减少进行验证操作所用的时间。此外，示例性实施例涉及，其中在由于编程验证操 作中的漏电流而降低预充电位线的电压水平的情况下，感测脉冲偏移到低电压水平并且接 着进行编程验证操作，从而能够改进编程验证操作的可靠性。根据本专利技术实施例的包括预充电耦合到串的位线， 向选定字线提供第一验证电压并且向除了所述选定字线之外的字线提供通过电压，向所述 位线和感测节点之间耦合的开关元件提供第一感测脉冲并且检测均具有高于所述第一验 证电压的阈值电压的存储器单元，向所述选定字线提供高于所述第一验证电压的第二验证 电压并且向除了所述选定字线之外的字线提供通过电压，以及向所述开关元件提供第二感 测脉冲并且检测均具有高于所述第二验证电压的阈值电压的存储器单元。一种根据本专利技术另一个实施方式的编程非易失存储器器件的方法，所述非易失存 储器器件包括多个串、耦合到相应串的位线和耦合在感测节点和所述相应位线之间的开关 元件，所述方法包括对所述串的选定存储器单元编程，预充电所述位线，向耦合到所述选定存储器单元的选定字线提供第一验证电压，向所述开关元件提供第一感测脉冲并且通过感 测转移到所述感测节点的电荷量来检测均具有高于所述第一验证电压的阈值电压的存储 器单元，向所述选定字线提供高于所述第一验证电压的第二验证电压，向所述开关元件提 供第二感测脉冲并且通过感测转移到所述感测节点的电荷量来检测均具有高于所述第二 验证电压的阈值电压的存储器单元，以及向所述选定字线提供高于所述第二验证电压的第 三验证电压，向所述开关元件提供第三感测脉冲并且通过感测转移到所述感测节点的电荷 量来检测均具有高于所述第三验证电压的阈值电压的存储器单元。一种根据本专利技术另一实施例的包括预充电耦合到 串的位线，向所述串的选定字线提供第一验证电压，响应于第一感测脉冲感测所述位线，以 验证所述选定字线的存储器单元被编程于第一状态，向所述串的所述选定字线提供高于所 述第一验证电压的第二验证电压，以及响应于第二感测脉冲感测所述位线，以验证所述选 定字线的所述存储器单元被编程于第二状态。附图说明图1是图解非易失存储器器件的图例；图2是图解编程非易失存储器器件的常规方法的图例；图3是图解非易失存储器器件的图例；图4是图解根据本专利技术实施方式的编程非易失存储器器件的方法的图例；而图5是图解根据本专利技术另一实施方式的编程非易失存储器器件的方法的图例。具体实施例方式下面参照附图详细描述说明本公开的一些示例性实施例。提供附图以帮助本领域 普通技术人员理解本公开的示例性实施例。图3是图解非易失存储器器件的图例。非易失存储器器件包含用于存储数据的存储器单元阵列10本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种操作非易失存储器器件的方法，所述方法包括：预充电耦合到串的位线；向选定字线提供第一验证电压并且向除了所述选定字线之外的字线提供通过电压；向所述位线和感测节点之间耦合的开关元件提供第一感测脉冲并且检测均具有高于所述第一验证电压的阈值电压的存储器单元；向所述选定字线提供高于所述第一验证电压的第二验证电压，并且向除了所述选定字线之外的字线提供通过电压；和向所述开关元件提供第二感测脉冲并且检测均具有高于所述第二验证电压的阈值电压的存储器单元。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：李银晶，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]