【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及非易失性可擦可编程存储器，且更具体而言涉及用于擦除、编程或读取这些类型的存储器的技术。
技术介绍
存储器及存储是实现信息时代的发展的关键
之一。随着因特网、万维网(WWW)、无线电话、个人数字助理、数字照相机、数字摄像机、数字音乐播放器、计算机、网络等的迅速发展，不断地需要更好的存储器及存储技术。一特定类型的存储器为非易失性存储器。非易失性存储器甚至在断电时也仍保持其存储器或存储状态。一些类型的非易失性可擦可编程存储器包括闪存存储器、EEPROM、EPROM、MRAM、FRAM、铁电及磁性存储器。一些非易失性存储器产品包括微型闪存(CF)卡、多媒体卡(MMC)、闪存PC卡(例如ATA闪存卡)、智能媒体卡及存储棒。一种广泛使用的半导体存储器存储单元类型为浮动栅极存储单元。一些类型的浮动栅极存储单元包括闪存、EEPROM及EPROM。将这些存储单元配置或编程至一期望的配置状态。具体而言，将电荷置于一闪存存储单元的浮动栅极上或自一闪存存储单元的浮动栅极上移除电荷，以将所述存储器处于两个或两个以上的状态中。一种状态为擦除状态且可存在一个或多个编程状...
【技术保护点】
一种用以在一具有一存储单元阵列且每一存储单元均具有一控制栅极及一由一源极及一漏极界定的沟道的非易失性存储器中对一组存储单元进行并行编程的方法，其包括：（ａ１）对于所述一组存储单元中的每一存储单元，根据每一所述存储单元是指定要被编程还 是指定要被禁止编程，将一关联的电压源耦接至每一沟道以将所述沟道带至一允许编程或禁止编程电压；（ａ２）将所述关联电压源从每一所述单元的所述沟道去耦，同时使所述允许编程或禁止编程电压动态地保持在所述沟道处；及（ａ３）通过将编程电 压施加至所述一组存储单元的所述控制栅极来对所述一组存储单元进行编程。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2004-5-10 10/842,9411.一种用以在一具有一存储单元阵列且每一存储单元均具有一控制栅极及一由一源极及一漏极界定的沟道的非易失性存储器中对一组存储单元进行并行编程的方法，其包括(a1)对于所述一组存储单元中的每一存储单元，根据每一所述存储单元是指定要被编程还是指定要被禁止编程，将一关联的电压源耦接至每一沟道以将所述沟道带至一允许编程或禁止编程电压；(a2)将所述关联电压源从每一所述单元的所述沟道去耦，同时使所述允许编程或禁止编程电压动态地保持在所述沟道处；及(a3)通过将编程电压施加至所述一组存储单元的所述控制栅极来对所述一组存储单元进行编程。2.如权利要求1所述的方法，其进一步包括当所述一组存储单元正在动态条件下操作时，允许对所述非易失性存储单元阵列进行另一存储操作。3.如权利要求1所述的方法，其进一步包括(b1)在预定时刻验证是否每一存储单元均已正确编程至一预定状态；及(b2)将已得到正确编程的每一存储单元指定为要禁止编程；(b3)重复(a1)-(a3)直至所述一组中的所有存储单元均已得到正确编程为止。4.如权利要求3所述的方法，其中在至少两组交错的存储单元之间实施编程及验证，以便在正对一组存储单元实施(a1)-a(3)时，对另一组存储单元实施(b1)-(b2)。5.如权利要求1所述的方法，其中每一存储单元均将其漏极耦接至一以可切换方式连接至一关联的位线的漏极选择晶体管；及所述将一关联的电压源耦接至每一沟道是通过启用其漏极选择晶体管以将来自所述关联位线的所述关联电压源连接至其漏极来实现的。6.如权利要求1所述的方法，其中每一存储单元均将其漏极耦接至一以可切换方式连接至一关联的位线的漏极选择晶体管；及所述将一电压源从每一沟道去耦是通过禁用其漏极选择晶体管以将来自所述关联位线的所述关联电压源与其漏极断开来实现的。7.如权利要求1所述的方法，其中将所述存储单元阵列组织成一NAND链阵列，每一NAND链均包括复数个存储单元，所述复数个存储单元通过其源极及漏极以菊花链形式连接、通过一源极端子及一漏极端子端接；及一漏极选择晶体管，其以可切换方式将所述漏极端子连接至一关联的位线。8.如权利要求7所述的方法，其中一存储单元的每一所述沟道均构成一NAND链中所述以菊花链形式连接的存储单元的组合沟道的一部分。9.如权利要求1-8中任一权利要求所述的方法，其中每一非易失性存储单元存储一位数据。10.如权利要求1-8中任一权利要求所述的方法，其中每一非易失性存储单元存储多于一位数据。11.如权利要求1-8中任一权利要求所述的方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：劳尔阿德里安切尔内亚，
申请(专利权)人：桑迪士克股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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