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本发明公开了操作非易失存储器器件的方法。操作非易失存储器器件的方法包含预充电耦合到串的位线，向选定字线提供第一验证电压并且向除了所述选定字线之外的字线提供通过电压，向所述位线和感测节点之间耦合的开关元件提供第一感测脉冲并且检测均具有高于所述...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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