增益单元ｅＤＲＡＭ单元、存储器及其制备方法技术

本发明专利技术属于动态随机存储器（ＤＲＡＭ）技术领域，具体为一种增益单元ｅＤＲＡＭ单元、存储器及其制备方法。该增益单元ｅＤＲＡＭ单元包括读ＭＯＳ晶体管、写ＭＯＳ晶体管、写字线、写位线、读字线、读位线以及等效寄生电容，所述写ＭＯＳ晶体管的漏端与读ＭＯＳ晶体管的栅极电连接，写ＭＯＳ晶体管的漏端的深度大于写ＭＯＳ晶体管的源端的深度，设置写ＭＯＳ晶体管的漏端掺杂浓度分布以减小漏端的ＰＮ结的漏电流。该增益单元ｅＤＲＡＭ具有数据保持时间长的特点，由该增益单元ｅＤＲＡＭ单元组成的存储器的刷新频率低、功耗小。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于动态随机存储器(DRAM)
，具体涉及一种嵌入式动态随 机存储器(eDRAM)技术，尤其涉及一种写MOS晶体管为非对称结构的增益单元eDRAM (GainCelleDRAM)单元、存储器及其制备方法。
技术介绍
存储器可以分为片外存储器和嵌入式存储器，嵌入式存储器是一种集成在芯片内 与芯片系统中各个逻辑、混合信号等IP模块共同组成芯片的基本组成部分。嵌入式存储器 包括嵌入式静态随机存储器(eSRAM)和嵌入式动态随机存储器(eDRAM)，其中，eDRAM由于 其单元只包括一个晶体管和一个电容，相对eSRAM单元的六个晶体管，具有单元面积小的 特点。但是，传统的eDRAM的难点在于其电容的制造一般不与标准MOS工艺兼容，从而 DRAM工艺与常规逻辑工艺差异很大，工艺的整合相当困难。因此业界提出了用MOS管自身 的寄生电容来等效代替DRAM中电容的思想。请参阅图1，图1所示为现有技术的增益单元eDRAM单元的电路结构示意图。该 eDRAM是由Intel公司在美国专利US7120072中提出的，如图1所示，该GainCelleDRAMlOO 包括写MOS晶体管101、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种增益单元ｅＤＲＡＭ单元，包括读ＭＯＳ晶体管、写ＭＯＳ晶体管、写字线、写位线、读字线、读位线以及等效寄生电容，所述写ＭＯＳ晶体管的漏端与读ＭＯＳ晶体管的栅极电连接，其特征在于，所述写ＭＯＳ晶体管的漏端的深度大于所述写ＭＯＳ晶体管的源端的深度，设置所述写ＭＯＳ晶体管的漏端掺杂浓度分布以减小漏端的ＰＮ结的漏电流。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林殷茵，李慧，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]