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本发明属于动态随机存储器（ＤＲＡＭ）技术领域，具体为一种增益单元ｅＤＲＡＭ单元、存储器及其制备方法。该增益单元ｅＤＲＡＭ单元包括读ＭＯＳ晶体管、写ＭＯＳ晶体管、写字线、写位线、读字线、读位线以及等效寄生电容，所述写ＭＯＳ晶体管的漏端与读ＭＯ...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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