【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种。
技术介绍
在 集成电路制造领域，二氧化硅薄膜在超大规模集成电路(ULSI)中有着极其广 泛的应用，其既可以作为金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅极氧化层材料，也可以 作为半导体器件之间的绝缘介质层，并且，在非挥发性半导体存储器中，二氧化硅薄膜还被 用于形成隧穿氧化层。随着半导体制造技术的不断进步，对于氧化层制造工艺的要求也越 来越高。在实际的工业生产中，为了减少硅氧界面界面态(interface state)和热 预算(thermal budget)，业界通常利用低压化学气相沉积(low pressure chemical vapordeposition, LPCVD)来形成氧化层。然而，在实际生产中发现，在利用炉管进行低压 化学气相沉积过程中，反应气体是顺着炉管的炉壁进入反应腔的，因此，晶片边缘部分的反 应气体浓度通常高于晶片中心部分的反应气体浓度，最终导致晶片表面的氧化层的厚度不 均勻(通常是晶片边缘部分的氧化层厚度大于晶片中心部分的氧化层厚度)，这将导致半 导体器件的电学性能发生变化，进而导致产...
【技术保护点】
一种氧化层制造方法，所述氧化层包括第一氧化层和第二氧化层，所述氧化层制造方法包括：执行低压化学气相沉积工艺，以在晶片上形成第一氧化层；执行现场水汽生成退火工艺，以在所述第一氧化层上形成第二氧化层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郭国超，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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