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本发明公开了一种氧化层制造方法，所述氧化层包括第一氧化层和第二氧化层，所述氧化层制造方法包括：执行低压化学气相沉积工艺，以在晶片上形成第一氧化层；执行现场水汽生成退火工艺，以在所述第一氧化层上形成第二氧化层，本发明可使所述晶片表面的氧化层厚...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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