一种硅片的氧化方法技术

本申请公开了一种硅片的氧化方法，包括：将待氧化的硅片浸没在液体中；向所述液体中通入臭氧，利用所述臭氧氧化所述硅片。利用上述方法，由于臭氧在液体中不易分解且溶解充分均匀，因此避免了气态下的臭氧稳定性差和均匀性差的缺点，能够提高臭氧氧化水平和氧化均匀性，从而有利于改善氧化层的界面钝化效果，提高太阳能电池的效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光伏设备
，特别是涉及一种硅片的氧化方法。
技术介绍
在常规的晶体硅太阳能电池中，将氮化硅膜作为减反射膜和钝化膜，氮化硅中含有氢原子，能钝化硅片的悬挂键和复合中心，起界面钝化和体钝化的作用，有利于提高太阳能电池的效率，但氮化硅的界面钝化效果相比氧化硅仍存在一定差距，在实验室高效太阳能电池中，往往采用高温热氧化的方式制备氧化硅，以实现更优异的界面钝化，但是高温热氧化过程耗能高，温度通常在1000℃，且速度较慢，工艺时间长，高温环境对硅片质量存在不利影响，会导致一些低质量的硅片质量恶化，而且多晶硅的少子寿命也很容易在高温下衰减。而可采用的低温氧化方式包括浓硝酸氧化、臭氧气态氧化等。其中，浓硝酸氧化需要采用高浓度的硝酸，这就存在安全风险，且成本较高；臭氧(O3)又称为超氧，是氧气(O2)的同素异形体，它比氧气的氧化性更强，现有技术中有一种用于硅片表面制样的表面处理及腐蚀的工艺和装置。具体为将硅片放入腐蚀装置硅片台的支撑柱上，再关闭腐蚀腔体的盖子，臭氧进入密封的腐蚀腔体内，与硅片表面接触，将硅片表面氧化成致密的氧化膜，但是该技术存在如下缺点：由于在常温常压下，臭氧稳定性本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅片的氧化方法，其特征在于，包括：将待氧化的硅片浸没在液体中；向所述液体中通入臭氧，利用所述臭氧氧化所述硅片。

【技术特征摘要】
1.一种硅片的氧化方法，其特征在于，包括：将待氧化的硅片浸没在液体中；向所述液体中通入臭氧，利用所述臭氧氧化所述硅片。2.根据权利要求1所述的硅片的氧化方法，其特征在于，所述向液体中通入臭氧为：向所述液体中通入浓度为1mg/L至10mg/L的臭氧。3.根据权利要求2所述的硅片的氧化方法，其特征在于，所述向所述液体中通入臭氧为：向所述液体中通入30秒至1200秒的臭氧。4.根据权利要求1-3任一项所述的硅片的氧化方法，其特征在于，所述向所述液体中...

【专利技术属性】
技术研发人员：金井升，刘长明，叶飞，蒋方丹，金浩，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33