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本申请公开了一种硅片的氧化方法，包括：将待氧化的硅片浸没在液体中；向所述液体中通入臭氧，利用所述臭氧氧化所述硅片。利用上述方法，由于臭氧在液体中不易分解且溶解充分均匀，因此避免了气态下的臭氧稳定性差和均匀性差的缺点，能够提高臭氧氧化水平和氧...
该专利属于浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司授权不得商用。

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