【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体存储器件，且特别涉及一种多晶硅存储器。
技术介绍
闪存以其便捷，存储密度高，可靠性好等优点成为非挥发性存储器中研究的热点。 从二十世纪八十年代第一个闪存产品问世以来，随着技术的发展和各类电子产品对存储的 需求，闪存被广泛用于手机，笔记本，掌上电脑和U盘等移动和通讯设备中，闪存为一种非 易变性存储器，其运作原理是通过改变晶体管或存储单元的临界电压来控制门极通道的开 关以达到存储数据的目的，使存储在存储器中的数据不会因电源中断而消失，而闪存为电 可擦除且可编程的只读存储器的一种特殊结构。如今闪存已经占据了非挥发性半导体存储器的大部分市场份额，成为发展最快的 非挥发性半导体存储器，然而现有的闪存在迈向更高存储密度的时候，通过缩小器件尺寸 来提高存储密度将会面临很大的挑战。然而现有的闪存在迈向更高存储密度的时候，由于 受到编程电压的限制，通过缩小器件尺寸来提高存储密度将会面临很大的挑战，因而研制 高存储密度的闪存是闪存技术发展的重要推动力。传统的闪存在迈向更高存储密度的时 候，由于受到结构的限制，实现器件的编程电压进一步减小将会面临着很大的挑战...
【技术保护点】
一种多晶硅存储器，其特征在于包括：衬底和形成于所述衬底内的第一漏极区、源极区和第二漏极区，所述源极区位于所述第一漏极区和所述第二漏极区之间；分别从所述第一漏极区、所述源极区和所述第二漏极区引出的第一漏极、源极和第二漏极；氮化硅层，位于所述源极之上，所述氮化硅层用于存储电荷；控制栅，位于所述氮化硅层之上；第一选择栅，位于所述第一漏极和所述源极之间；第二选择栅，位于所述源极和所述第二漏极之间。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：顾靖，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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