【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思通常涉及半导体领域,更具体地讲,涉及形成半导体装置的方法。
技术介绍
已经研究了垂直NAND沟道构造来提高非易失性存储器的密度。在“BitCost Scalable Technology With Punch and Plug Process For Ultra High DensityFlash Memory, by H. Tanaka et al. in Symp. on VLSI Tech. Dig.,ppl4 15 (2007) ”中讨论了一种 这样的垂直NAND沟道结构。同时,第2009-0121271号题为“Vertical-type non-volatile memory devices”的美国专利公布公开了具有金属栅极的垂直NAND及其方法。上述文章和 美国公布的公开完全包含于此。
技术实现思路
根据本专利技术的实施例可提供包括垂直NAND沟道的非易失性存储器装置及其形成 方法。根据这些实施例,非易失性存储器装置可包括电结合到所述非易失性存储器装置的 单一上选择栅极线或单一下选择栅极线的多个直接相邻的偏移的垂直NAND沟道。在另一 实 ...
【技术保护点】
一种非易失性存储器装置,所述非易失性存储器装置包括:多个直接相邻的偏移的垂直NAND沟道,电结合到所述非易失性存储器装置的单一的选择栅极线。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:薛光洙,金锡必,朴允童,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:KR[韩国]
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