包括垂直ＮＡＮＤ沟道的非易失性存储器装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种包括垂直ＮＡＮＤ沟道的非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置可包括多个直接相邻的偏移的垂直ＮＡＮＤ沟道，所述直接相邻的偏移的垂直ＮＡＮＤ沟道电结合到所述非易失性存储器装置的单一的上选择栅极线或单一的下选择栅极线。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术构思通常涉及半导体领域，更具体地讲，涉及形成半导体装置的方法。
技术介绍
已经研究了垂直NAND沟道构造来提高非易失性存储器的密度。在“BitCost Scalable Technology With Punch and Plug Process For Ultra High DensityFlash Memory, by H. Tanaka et al. in Symp. on VLSI Tech. Dig.，ppl4 15 (2007) ”中讨论了一种 这样的垂直NAND沟道结构。同时，第2009-0121271号题为“Vertical-type non-volatile memory devices”的美国专利公布公开了具有金属栅极的垂直NAND及其方法。上述文章和 美国公布的公开完全包含于此。
技术实现思路
根据本专利技术的实施例可提供包括垂直NAND沟道的非易失性存储器装置及其形成 方法。根据这些实施例，非易失性存储器装置可包括电结合到所述非易失性存储器装置的 单一上选择栅极线或单一下选择栅极线的多个直接相邻的偏移的垂直NAND沟道。在另一 实施例中，非易失性存储器装置可包括电结合到非易失性存储器装置的单一上选择栅极线 或单一下选择栅极线的多个直接相邻且交替偏移的垂直NAND沟道。在另一实施例中，非易 失性存储器装置可包括在位线方向上相互偏移的多个直接相邻的垂直NAND沟道，所述多 个直接相邻的垂直NAND沟道电结合到所述非易失性存储器装置的单一上选择栅极线或单 一下选择栅极线。在专利技术构思的一些实施例中，非易失性存储器装置可包括电结合到单一的上或下 选择栅极线的多个垂直NAND沟道，其中，所述多个沟道中的直接相邻的沟道在与位线延伸 的方向垂直的方向上相互偏移。在专利技术构思的一些实施例中，所述非易失性存储器装置包括多个相邻的垂直NAND 沟道，所述多个相邻的垂直NAND沟道以沿与位线方向垂直的方向延伸的重复的交错图案 布置并电结合到所述非易失性存储器装置的单个上选择栅极线或单个下选择栅极线。在本专利技术构思的一些实施例中，所述非易失性存储器装置包括多个垂直NAND沟 道，所述多个垂直NAND沟道以Z字形图案布置，所述Z字形图案被限定为以包括所述沟道 中在所述装置的单个逻辑页内的直接相邻的垂直NAND沟道。在本专利技术构思的一些实施例中，提供了一种垂直NAND存储器装置，所述装置包 括基底；多个直接相邻的偏移的垂直NAND沟道，电结合到所述垂直NAND装置的单一选择 栅极线并从所述基底向上延伸，其中，在沟道为圆形或圆柱形且所述沟道的宽度为F的情 况下，从顶部观看的一个沟道的有效面积不小于4F2且小于6F2。在专利技术构思的一些实施例中，非易失性存储器装置的垂直NAND沟道可以以偏移的方式布置，以在用于启用这些沟道的各上或下选择栅极线内更紧凑地排列垂直NAND沟 道。例如，特定的上选择栅极线内的垂直NAND沟道中的直接相邻的垂直NAND沟道可在连 接到多条上选择栅极线的位线的方向上相互偏移。垂直NAND沟道的偏移可提高上选择栅极线内的存储器单元的密度。例如，与垂直 NAND沟道在上选择栅极线方向上充分对齐的情况下可能出现的情况相比，位线方向上的偏 移可以使沟道(在上选择栅极线方向)相互间更紧凑地分隔开。附图说明图IA和图IB分别是示出了在本专利技术构思的一些实施例中包括垂直NAND沟道的 非易失性存储器装置的平面图和剖视图，其中，所述垂直NAND沟道在各上/下选择栅极线 内相互交替地偏移。图2A至图2C分别是示出了在本专利技术构思的一些实施例中的偏移的垂直NAND沟 道的平面图、透视图和透视示意图，其中，所述偏移的垂直NAND沟道结合到各上/下选择栅 极线且在每三个垂直NAND沟道中具有两个相互偏移的垂直NAND沟道。图3A至图3E分别是示出了在本专利技术构思的一些实施例中在各上/下栅极线内对 称地布置成提供完全相同的图案的偏移的垂直NAND沟道的示意性平面图、透视图、透视示 意图、平面图和剖视图。图4是示出了在专利技术构思的一些实施例中的偏移的垂直NAND沟道的示意性平面 图，其中，所述垂直NAND沟道被对称地布置成提供互为镜像布置。图5A至图5D分别是示出了在专利技术构思的一些实施例中具有与分隔开的上选择栅 极线成对的分隔开的下选择栅极线的偏移的垂直NAND沟道的透视图、示意性透视图、平面 图和剖视图。图6A至图6E分别是示出了在专利技术构思的一些实施例中结合到分隔开的上选择栅 极线的交替偏移的垂直NAND沟道的示意性平面图、透视图、示意性透视图、平面图和剖视 图，其中，分隔开的上选择栅极线在垂直NAND沟道的方向上相互偏移。图7A至图7C分别是示出了在专利技术构思的一些实施例中已经被裂开的交替偏移的 垂直NAND沟道(即，裂开沟道)的示意性平面图、透视图和平面图。图8A和图8B分别是示出了在专利技术构思的一些实施例中被裂开的交替偏移的垂直 NAND沟道(即，裂开沟道)的透视图和平面图，其中，上选择栅极线相互分隔开并与类似地 分隔开的下选择栅极线成对。图9A至图9C分别是示出了在专利技术构思的一些实施例中结合到相互交叉的上选择 栅极线的已经被裂开的交替偏移的垂直NAND沟道(即，裂开沟道)的示意性平面图、透视 图和平面图。图IOA和图IOB分别是示出了在专利技术构思的一些实施例中结合到分隔开的上选择 栅极线和下选择栅极线的已经被裂开的交替偏移的垂直NAND沟道(即，裂开沟道)的透视 图和平面图。图IlA和图IlB分别是示出了在专利技术构思的一些实施例中结合到相互成对的分隔 开的上下选择栅极线的已经被裂开的交替偏移的垂直NAND沟道(即，裂开沟道)的示意性平面图、透视图和平面图。图12是在专利技术构思的一些实施例中的标准结构规格的存储卡的示意性代表，其 中，该存储卡包括具有偏移的垂直NAND沟道的非易失性存储器装置。图13是在专利技术构思的一些实施例中包括具有偏移的垂直NAND沟道的非易失性存 储器系统的系统的示意性代表。图14至图23是示出了在专利技术构思的一些实施例中包括偏移的垂直NAND沟道的 非易失性存储器装置的形成的透视图。图24至图29是示出了在专利技术构思的一些实施例中偏移的垂直NAND沟道的形成 的透视图。具体实施例方式尽管本专利技术允许各种修改和可替换的形式，但是在附图中通过示例的方式示出了 具体的实施例，并将在此进行详细的描述。然而，应该理解的是，并不意图将本专利技术限制为 公开的具体形式，而是相反，本专利技术意图覆盖落入由权利要求限定的本专利技术的精神和范围 内的全部修改、等同物和可替换物。现在将在下文中参照附图来更充分地描述本专利技术，在附图中示出了本专利技术的实施 例。然而，本专利技术可以以很多不同的形式来实施，并不应该被理解为限于在此提出的实施 例。相反，提供这些实施例是为了使本公开将是彻底的和完整的，并将本专利技术的范围充分地 传达给本领域的技术人员。在附图中，为了清晰起见，可夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。 相同的标号始终表示相同的元件。应该理解的是，当如层、区域或基底的元件被称作“在”另一元件“上”或延伸“到” 另一元件“上”时，该元件可以直接在另一元件上或直接延伸到另一元件上，或者也可以存 在中间元件。相反，当元件被称作“直接在”另一元件“上”或“直本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置包括：多个直接相邻的偏移的垂直ＮＡＮＤ沟道，电结合到所述非易失性存储器装置的单一的选择栅极线。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：薛光洙，金锡必，朴允童，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]