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本发明提供了一种包括垂直ＮＡＮＤ沟道的非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置可包括多个直接相邻的偏移的垂直ＮＡＮＤ沟道，所述直接相邻的偏移的垂直ＮＡＮＤ沟道电结合到所述非易失性存储器装置的单一的上选择栅极线或单一的下选择栅极线。...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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