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本发明提供一种多晶硅存储器，包括：衬底和形成于所述衬底内的第一漏极区、源极区和第二漏极区，所述源极区位于所述第一漏极区和所述第二漏极区之间；分别从所述第一漏极区、所述源极区和所述第二漏极区引出的第一漏极、源极和第二漏极；氮化硅层，位于所述源...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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