半导体器件制造技术

本发明专利技术提供一种半导体器件，具备：第一导电型的半导体衬底；形成在半导体衬底上的第一导电型的第一半导体区；以及在第一半导体区内，相对于半导体衬底在衬底面方向上分别离开地形成的第二导电型的第二半导体区。关于第二半导体区的活性化的杂质浓度的相对于半导体衬底在衬底面方向上的积分值即电荷量、与关于第一半导体区的活性化的杂质浓度的相对于半导体衬底在衬底面方向上的积分值即电荷量之差，总是为正数，且从第二半导体区的两端的接合面中的半导体衬底侧的第一接合面的深度朝向第二半导体区的两端的接合面中的与第一接合面相反一侧的第二接合面的深度增加。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，特别涉及各种开关电源等功率电子领域中使用的功率半 导体器件。
技术介绍
MOS型场效应晶体管(以下称为"MOSFET")、绝缘栅型双极晶体管(以下称为 "IGBT")等半导体器件具有高速开关特性以及几十 几百V的反向阻断电压(以下称为 "耐压")。因此，这些半导体器件广泛用于家用电气设备、通信设备、以及车载用电动机等 电力变换那样的控制领域中。为了达成使用了这些半导体器件的电源系统的小型化、高效 化、以及低功耗化，需要降低构成系统的半导体器件的导通状态下的电阻(以下称为"导通 电阻")。即，强烈要求MOSFET、 IGBT具有高耐压以及低导通电阻。 —般，半导体器件在截止状态下被施加了高电压时，漂移区耗尽而保持电压。 M0SFET、 IGBT等半导体器件为了得到高耐压而具有杂质浓度比较低的漂移区，所以电阻变 大，元件的导通电阻中所占的漂移电阻的比例增大，结果是导通电阻也变大。因此，在这些 半导体器件中，耐压与导通电阻具有折衷的关系，存在由该材料决定的界限。 相对于此，作为用于降低该漂移电阻的结构，已知超结(super junction)结构(参 照"Th本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于，具备：第一导电型的半导体衬底；形成在上述半导体衬底上的第一导电型的第一半导体区；以及在上述第一半导体区内，相对于上述半导体衬底在衬底面方向上分别离开地形成的多个第二导电型的第二半导体区，关于上述第二半导体区的活性化的杂质浓度的相对于上述半导体衬底在衬底面方向上的积分值即电荷量、与关于上述第一半导体区的活性化的杂质浓度的相对于上述半导体衬底在衬底面方向上的积分值即电荷量之差，总是为正数，且从上述第二半导体区的两端的接合面中的上述半导体衬底侧的第一接合面的深度朝向上述第二半导体区的两端的接合面中的与上述第一接合面相反一侧的第二接合面的深度增加。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：小野昇太郎，斋藤涉，羽田野菜名，大田浩史，渡边美穗，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]