一种磁控溅射和共蒸发法组合工艺，制备铜铟镓硒软体太阳能电池的方法其特征在于：清洗后的基材带箔在张力卷绕机（１），的拖动下，均速依次通过真空隔离窄缝伐（１７－１－３）进入真空室（２），（３），（４）溅镀ＭＯ，Ｃｒ背电极，通过窄缝伐（１７－４），进入缓冲室（５），进行调正后，再通过隔离窄缝伐（１７－５），进入四元共蒸室（６），共蒸ＣＩＧＳ吸收膜后，再通过隔离窄缝伐（１７－６），进入真空冷却室（７）冷却；再通过隔离窄缝伐（１７－７－１０），进入真空溅射室（８），（９）（１０），溅镀ｎ结膜和Ｉ－ＺｎＯ缓冲膜，及透明导电膜，再印刷银浆上电极（１３），焊接电极（１４）、并封装ＥＶＡ保护膜（１５）。即制完成了光电池组件制备。其优点：可大规模工业化连续生产，质量隐定。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种利用磁控溅射和共蒸发法组合工艺制备铜铟镓硒软体太阳能电池的技术。具体是一种由多个控溅射真空室和多元共蒸发室组合为一体的连续制备软体薄 膜式太阳能光电池组件的方法。
技术介绍
现有技术；将软体的带状金属或塑胶基材箔巻材，剪切成段，送入真空杂物清理室并将基材带箔加热到200-300°C ，利用等离子或辉光放电法进行表面杂物清理后，再送入绝 缘膜磁控溅射真空室"。采用二氧化硅或二氧化钛合金靶材用磁控溅射法在基材带箔上板 表面溅镀二氧化硅或二氧化钛绝缘膜后，送入背电极磁控溅射真空室。采用铜钼合金靶材， 应用磁控溅射法，溅镀铜钼合金背电极膜。再进行激光刻蚀划线后，送入铜铟镓磁控溅射真 空室，采用铜铟镓合金靶材，应用磁控溅射法，溅镀铜铟镓合金膜。再送硫化结晶炉内，进硫 化结晶。即完成了P型半导体簿膜的制备。再送入"n型半导体层磁控溅射真空室"。采用 ZnS硫化锌合金耙材，使用磁控溅射法在铜铟硫P型半导体基材带箔上表面溅镀硫化锌n型 半导体膜。此段已形成了 P-n结铜铟硫半导体膜层基材带箔。 溅镀后的P-n结铜铟镓硫半导体膜层基材带箔，送入上电极透明导电层IC0膜磁 控溅射真空室。采用二氧化锡合金靶材，使用磁控溅射法在P-n结铜铟镓半倒替膜层基材 带箔表面上，溅镀二氧化锡上电极透明导电IC0膜。 该技术的缺点；耙材利用率低，且需设置硫化或硒化热处理炉，生产成本高等缺 点；
技术实现思路
； 本专利技术的目的是；克服上述生产工艺的缺点，提供一种，生产工艺路线合理并能大规模的提高生产效率，生产成本较低的一种制备方法。 本专利技术的具体内容； 本专利技术提供一种利用磁控溅射和共蒸发法组合工艺制备铜铟镓硒软体太阳能电 池的方法，其特征在于；清洗后的不锈钢巻材在磁控溅射镀膜成套生产线张力巻绕机的拖 动下，展为带箔，均速进入等离子辉光放电真空室进行清洗，通过真空隔离窄缝伐进入真空 溅镀Mo室，在带箔正、背两面溅镀Mo膜、再通过真空隔离窄缝伐进入真空溅镀Cr室，在带 箔正面溅镀Cr背电极膜，再通过真空隔离窄缝伐进入真空缓冲室进行缓冲调正后，再通过 真空隔离窄缝伐进入四元共蒸室，通过铜、铟、镓、硒Cu， In， Ga， Se，四元素发生器提供四元 素源，在共蒸室内共蒸CIGS半导体P结吸收膜后，再通过真空隔离窄缝伐进入真空冷却室， 在氮气中冷却250°C以下。再通过真空隔离窄缝伐，进入n结真空溅射室，溅镀In-S或Zn-S 半导体n结膜、再通过真空隔离窄缝伐进入真空溅镀室，溅镀I-Zn0过渡层膜，再通过真空 隔离窄缝伐进入真空溅镀室，溅镀AL:ZnO或ITO透明导电膜、由真空隔离窄缝伐封闭。由后涨力巻绕机巻绕为巻材；而后由剪切机切为块状，再跟随已溅射膜后的带箔上，用丝网印 刷银浆上电极，再用超声波焊机焊接电极、并封装EVA保护膜即完成了太阳能光电池组件。 当生产线前置带巻将溅镀完结束时，可将前巻尾端和后巻始端进行搭接，以实现 连续不停顿生产工效。全部系统，带箔溅镀材料厚度、结晶度、温度均采用闭环自控系统控 制，以保证产品的质量。附图说明； 当生产线前置带巻将溅镀完结束时，可将前巻尾端和后巻始端进行搭接，以实现 连续不停顿生产工效。全部系统，带箔溅镀材料厚度、结晶度、温度均采用闭环自控系统控 制，以保证产品的质量。权利要求一种磁控溅射和共蒸发法组合工艺，制备铜铟镓硒软体太阳能电池的方法其特征在于磁控溅射和共蒸发法组合工艺的成套生产线在其张力卷绕机(1)，的拖动下，展为带箔，均速通过真空隔离窄缝伐(17-1)进入等离子辉光放电真空室(2)，进行清洗，依次通过真空隔离窄缝伐(17-2)进入真空溅镀Mo室(3)，在带箔正、背两面溅镀Mo膜、再通过真空隔离窄缝伐(17-3)进入真空溅镀Cr室(4)，在带箔正面溅镀Cr背电极膜，再通过真空隔离窄缝伐(17-4)，进入真空缓冲室(5)，进行缓冲调正后，再通过真空隔离窄缝伐(17-5)，进入四元共蒸室(6)，通过铜、铟、镓、硒Cu，In，Ga，Se，四元素发生器(18)，提供的四元素源，在共蒸室内500-560℃氮气中共蒸CIGS半导体P结吸收膜后，再通过真空隔离窄缝伐(17-6)，进入真空冷却室(7)，在氮气中冷却250℃以下，再通过真空隔离窄缝伐(17-7)，进入n结真空溅射室(8)，溅镀In-S或Zn-S半导体n结膜、再通过真空隔离窄缝伐(17-8)进入真空溅镀室(9)，溅镀I-ZnO过渡层膜，再通过真空隔离窄缝伐(17-9)进入真空溅镀室(10)，溅镀AL:ZnO或ITO透明导电膜、由真空隔离窄缝伐(10)封闭，由后涨力卷绕机(11)，卷绕为卷材；而后由剪切机(12)切为块状，再跟随已溅射膜后的带箔上，用丝网印刷银浆上电极(13)，再用超声波焊机焊接电极(14)、并封装EVA保护膜(15)，通过检测合格即完成了太阳能光电池组件的制备；当生产线前置带卷1，将溅镀完结束时，可将前卷尾端和后卷始端进行搭接，以实现连续不停顿生产工效。全部系统，带箔溅镀材料厚度、结晶度、温度均采用闭环自控系统控制，以保证产品的质量。全文摘要一种磁控溅射和共蒸发法组合工艺，制备铜铟镓硒软体太阳能电池的方法其特征在于清洗后的基材带箔在张力卷绕机(1)，的拖动下，均速依次通过真空隔离窄缝伐(17-1-3)进入真空室(2)，(3)，(4)溅镀MO，Cr背电极，通过窄缝伐(17-4)，进入缓冲室(5)，进行调正后，再通过隔离窄缝伐(17-5)，进入四元共蒸室(6)，共蒸CIGS吸收膜后，再通过隔离窄缝伐(17-6)，进入真空冷却室(7)冷却；再通过隔离窄缝伐(17-7-10)，进入真空溅射室(8)，(9)(10)，溅镀n结膜和I-ZnO缓冲膜，及透明导电膜，再印刷银浆上电极(13)，焊接电极(14)、并封装EVA保护膜(15)。即制完成了光电池组件制备。其优点可大规模工业化连续生产，质量隐定。文档编号H01L31/18GK101764181SQ201010003168公开日2010年6月30日 申请日期2010年1月10日 优先权日2010年1月10日专利技术者李铁强, 郭玉钦 申请人:郭玉钦本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种磁控溅射和共蒸发法组合工艺，制备铜铟镓硒软体太阳能电池的方法其特征在于：磁控溅射和共蒸发法组合工艺的成套生产线在其张力卷绕机（１），的拖动下，展为带箔，均速通过真空隔离窄缝伐（１７－１）进入等离子辉光放电真空室（２），进行清洗，依次通过真空隔离窄缝伐（１７－２）进入真空溅镀Ｍｏ室（３），在带箔正、背两面溅镀Ｍｏ膜、再通过真空隔离窄缝伐（１７－３）进入真空溅镀Ｃｒ室（４），在带箔正面溅镀Ｃｒ背电极膜，再通过真空隔离窄缝伐（１７－４），进入真空缓冲室（５），进行缓冲调正后，再通过真空隔离窄缝伐（１７－５），进入四元共蒸室（６），通过铜、铟、镓、硒Ｃｕ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｓｅ，四元素发生器（１８），提供的四元素源，在共蒸室内５００－５６０℃氮气中共蒸ＣＩＧＳ半导体Ｐ结吸收膜后，再通过真空隔离窄缝伐（１７－６），进入真空冷却室（７），在氮气中冷却２５０℃以下，再通过真空隔离窄缝伐（１７－７），进入ｎ结真空溅射室（８），溅镀Ｉｎ－Ｓ或Ｚｎ－Ｓ半导体ｎ结膜、再通过真空隔离窄缝伐（１７－８）进入真空溅镀室（９），溅镀Ｉ－ＺｎＯ过渡层膜，再通过真空隔离窄缝伐（１７－９）进入真空溅镀室（１０），溅镀ＡＬ：ＺｎＯ或ＩＴＯ透明导电膜、由真空隔离窄缝伐（１０）封闭，由后涨力卷绕机（１１），卷绕为卷材；而后由剪切机（１２）切为块状，再跟随已溅射膜后的带箔上，用丝网印刷银浆上电极（１３），再用超声波焊机焊接电极（１４）、并封装ＥＶＡ保护膜（１５），通过检测合格即完成了太阳能光电池组件的制备；当生产线前置带卷１，将溅镀完结束时，可将前卷尾端和后卷始端进行搭接，以实现连续不停顿生产工效。全部系统，带箔溅镀材料厚度、结晶度、温度均采用闭环自控系统控制，以保证产品的质量。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郭玉钦，李铁强，
申请(专利权)人：郭玉钦，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]
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