磁控溅射和共蒸发法组合工艺制备铜铟镓硒软体太阳能电池的方法技术

一种磁控溅射和共蒸发法组合工艺，制备铜铟镓硒软体太阳能电池的方法其特征在于：清洗后的基材带箔在张力卷绕机（１），的拖动下，均速依次通过真空隔离窄缝伐（１７－１－３）进入真空室（２），（３），（４）溅镀ＭＯ，Ｃｒ背电极，通过窄缝伐（１７－４），进入缓冲室（５），进行调正后，再通过隔离窄缝伐（１７－５），进入四元共蒸室（６），共蒸ＣＩＧＳ吸收膜后，再通过隔离窄缝伐（１７－６），进入真空冷却室（７）冷却；再通过隔离窄缝伐（１７－７－１０），进入真空溅射室（８），（９）（１０），溅镀ｎ结膜和Ｉ－ＺｎＯ缓冲膜，及透明导电膜，再印刷银浆上电极（１３），焊接电极（１４）、并封装ＥＶＡ保护膜（１５）。即制完成了光电池组件制备。其优点：可大规模工业化连续生产，质量隐定。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种利用磁控溅射和共蒸发法组合工艺制备铜铟镓硒软体太阳能电池的技术。具体是一种由多个控溅射真空室和多元共蒸发室组合为一体的连续制备软体薄 膜式太阳能光电池组件的方法。
技术介绍
现有技术；将软体的带状金属或塑胶基材箔巻材，剪切成段，送入真空杂物清理室并将基材带箔加热到200-300°C ，利用等离子或辉光放电法进行表面杂物清理后，再送入绝 缘膜磁控溅射真空室"。采用二氧化硅或二氧化钛合金靶材用磁控溅射法在基材带箔上板 表面溅镀二氧化硅或二氧化钛绝缘膜后，送入背电极磁控溅射真空室。采用铜钼合金靶材， 应用磁控溅射法，溅镀铜钼合金背电极膜。再进行激光刻蚀划线后，送入铜铟镓磁控溅射真 空室，采用铜铟镓合金靶材，应用磁控溅射法，溅镀铜铟镓合金膜。再送硫化结晶炉内，进硫 化结晶。即完成了P型半导体簿膜的制备。再送入"n型半导体层磁控溅射真空室"。采用 ZnS硫化锌合金耙材，使用磁控溅射法在铜铟硫P型半导体基材带箔上表面溅镀硫化锌n型 半导体膜。此段已形成了 P-n结铜铟硫半导体膜层基材带箔。 溅镀后的P-n结铜铟镓硫半导体膜层基材带箔，送入上电极透明导电层IC0膜磁 控溅射真空本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁控溅射和共蒸发法组合工艺，制备铜铟镓硒软体太阳能电池的方法其特征在于：磁控溅射和共蒸发法组合工艺的成套生产线在其张力卷绕机（１），的拖动下，展为带箔，均速通过真空隔离窄缝伐（１７－１）进入等离子辉光放电真空室（２），进行清洗，依次通过真空隔离窄缝伐（１７－２）进入真空溅镀Ｍｏ室（３），在带箔正、背两面溅镀Ｍｏ膜、再通过真空隔离窄缝伐（１７－３）进入真空溅镀Ｃｒ室（４），在带箔正面溅镀Ｃｒ背电极膜，再通过真空隔离窄缝伐（１７－４），进入真空缓冲室（５），进行缓冲调正后，再通过真空隔离窄缝伐（１７－５），进入四元共蒸室（６），通过铜、铟、镓、硒Ｃｕ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｓｅ，四元素发生器（１８），提...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭玉钦，李铁强，
申请(专利权)人：郭玉钦，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]