显示器和用于制备该显示器的溅射靶制造技术

一种显示器，其中Ａｌ合金膜和导电氧化物膜在没有插入高熔点金属的情况下直接连接，并且部分或全部Ａｌ合金组分沉积或富集在所述Ａｌ合金膜和所述导电氧化物膜之间的接触界面上。所述Ａｌ合金膜包括作为合金组分的０．１～６ａｔ％的选自Ｎｉ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｕ和Ｇｅ中的至少一种元素，以及还包括１）０．１～２ａｔ％的选自Ｍｇ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ和Ｄｙ中的至少一种元素，或２）０．１～１ａｔ％的选自Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ和Ｗ中的至少一种元素。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种形状类似薄膜的显示器以及用于制备该显示器的溅射 靶，更具体地说，涉及一种包含氧化物导电膜和Al合金膜的新型显示器， 该显示器用于半导体装置、有源和无源矩阵类型的平板显示器如液晶显示 器、反射膜、光学元件等，以及涉及一种用于制备该显示器的溅射靶。
技术介绍
薄膜晶体管(TFTs)例如在有源矩阵类型的液晶显示器中用作开关元 件，而所述液晶显示器具有包括像素电极和互连线路部分如扫描线和信号 线的TFT阵列基板、包括共用电极且以预定距离面对TFT阵列基板安置 的对向基板、插入TFT阵列基板和对向基板之间的液晶层。无源矩阵类型 的液晶显示器包括互连线路部分如扫描线和信号线、包括共用电极并且以 预定距离面对该互连基板安置的对向基板、以及插入互连基板和对向基板 之间的液晶层。像素电极可以由氧化物导电膜比如将约10质量％的氧化 锡(SnO)混入氧化铟(In203)中获得的氧化铟锡(ITO)膜制备。当纯Al或Al合金如Al-Nd用于与这种导电氧化物膜的像素电极(下 面，也称作像素电极)电连接的互连线路部分的信号线时，由高熔点金 属如Mo、 Cr、 Ti和W制备的多层膜作为势垒金属插本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示器，其中Ａｌ合金膜和导电氧化物膜在没有插入高熔点金属的情况下直接连接，并且一些或全部Ａｌ合金组分沉积或富集在所述Ａｌ合金膜和所述导电氧化物膜之间的接触界面处，其中所述Ａｌ合金膜包含作为合金组分的０．１～６ａｔ％的选自Ｎｉ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｕ和Ｇｅ中的至少一种元素，以及０．１～２ａｔ％的选自Ｍｇ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｔｂ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ和Ｄｙ中的至少一种元素。

【技术特征摘要】
JP 2005-11-29 2005-344679;JP 2005-2-17 2005-0407871.一种显示器，其中Al合金膜和导电氧化物膜在没有插入高熔点金 属的情况下直接连接，并且一些或全部Al合金组分沉积或富集在所述Al合金膜和所述导电氧化物膜之间的接触界面处，其中所述Al合金膜包含作为合金组分的0.1～6at％的选自Ni，Ag，Zn，Cu和Ge中的至少一种元素，以及0.1～2at％的选自Mg，Cr，Mn，Ru，Rh，Pd，Ir，Pt，Ce，Pr，Tb，Sm，Eu，Ho，Er，Tm，Yb，Lu和Dy中的至少一种元素。2. —种显示器，其中Al合金膜和导电氧化物膜在没有插入高熔点金 属的情况下直接连接，并且一些或全部Al合金组分沉积或富集在所述Al 合金膜和所述导电氧化物膜之间的接触界面上，其中所述Al合金膜包含作为合金组分的0.1 6 at。/。的选自Ni, Ag, Zn, Cu和Ge中的...

【专利技术属性】
技术研发人员：后藤裕史，钉宫敏洋，富久胜文，
申请(专利权)人：株式会社神户制钢所，
类型：发明
国别省市：JP[]