铜化合物和使用该铜化合物的铜薄膜的制造方法技术

本发明专利技术提供一种铜化合物，其分解温度在１００℃～３００℃的范围内，由１个或多个下述式（１）所示的单元连结而成：　　　　［Ｒ↑［１］ＣＯＯ］↓［ｎ］［ＮＨ↓［３］］↓［ｍ］ＣｕＸ↓［ｐ］↑［１］（１）式中，ｎ为１～３，ｍ为１～３，ｐ为０～１，ｎ个Ｒ↑［１］分别表示下述式（２）、ＣＨ↓［２］Ｘ↑［２］、ＣＨ↓［２］Ｘ↑［２］（ＣＨＸ↑［２］）↓［ｑ］、ＮＨ↓［２］、Ｈ，可以相同或不同，或ｎ为２，当２个［Ｒ↑［１］ＣＯＯ］合在一起就表示为下述式（３），Ｒ↑［２］、Ｒ↑［３］、Ｒ↑［４］分别为ＣＨ↓［２］Ｘ↑［２］、ＣＨ↓［２］Ｘ↑［２］（ＣＨＸ↑［２］）↓［ｑ］、ＮＨ↓［２］、Ｈ，Ｒ↑［５］为－（ＣＨＸ↑［２］）↓［ｒ］－，Ｘ↑［２］为Ｈ、ＯＨ、ＮＨ↓［２］，ｒ为０～４，ｑ为１～４，Ｘ↑［１］为ＮＨ↓［４］↑［＋］、Ｈ↓［２］Ｏ或溶剂分子，＊＊＊（２）［－ＯＯＣ－Ｒ↑［５］－ＣＯＯ－］（３）从而，提供能够安全、廉价且容易地形成电子装置等的制造工序中所必需的铜薄膜的铜化合物和使用该铜化合物的铜薄膜的制造方法。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。更具体地说，涉及适用于电子设备的配线(也称为布线)形成等的。
技术介绍
以往，作为工业上在非导电性基材上形成铜薄膜的方法，通常使用无电解镀铜法(也称为化学镀铜法)。例如在印刷基板的制造工序中，使用无电解镀铜法在基材上形成导电性的铜薄膜，然后以其为基体，用电镀铜法形成铜配线所需厚度的铜薄膜。但是，在上述无电解镀铜法中使用的镀浴中使用了具有致癌性的甲醛，在操作环境、废液的处理上存在问题。此外，在太阳能电池、半导体设备、电子显示装置等的制造工序中，使用喷溅法、真空蒸镀法、CVD法等真空工艺形成铜配线。这些方法需要大规模的真空蒸镀装置，而且由于真空分批处理，生产效率低，成本高。此外，在特开2000-123634号公报中提出了在基材上涂布铜的超细颗粒的分散液，在300～400℃下进行烧结从而形成铜薄膜。但是，上述以往的技术由于在高温下进行烧结，因此存在不适用于耐热温度低的有机基材的问题。
技术实现思路
本专利技术鉴于上述情况而提出，目的在于提供能够安全、廉价且容易地形成电子装置等的制造工序中所必需的铜薄膜的铜化合物。还提供使用该铜化合物的铜薄膜的制造方法。本专利技术者们对各种有本文档来自技高网...

【技术保护点】
铜化合物，其分解温度在１００～３００℃的范围内，由１个或多个下述式（１）所示的单元连结而成：［Ｒ↑［１］ＣＯＯ］↓［ｎ］［ＮＨ↓［３］］↓［ｍ］ＣｕＸ↑［１］↓［ｐ］（１）式中，ｎ为１～３，ｍ为１～３，ｐ为０～１，ｎ个Ｒ↑［１］分别表示下述式（２）、ＣＨ↓［２］Ｘ↑［２］、ＣＨ↓［２］Ｘ↑［２］（ＣＨＸ↑［２］）↓［ｑ］、ＮＨ↓［２］、Ｈ，可以相同或不同，或ｎ为２，当２个［Ｒ↑［１］ＣＯＯ］合在一起就表示为下述式（３），Ｒ↑［２］、Ｒ↑［３］、Ｒ↑［４］分别为ＣＨ↓［２］Ｘ↑［２］、ＣＨ↓［２］Ｘ↑［２］（ＣＨＸ↑［２］）↓［ｑ］、ＮＨ↓［２］、Ｈ，Ｒ↑［５］为－（ＣＨＸ↑［２］）↓［ｒ］－，...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：王谷稔，久田纯，马渡丰树，
申请(专利权)人：MEC株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]