蚀刻剂及电路基板的制造方法技术

本发明专利技术是一种蚀刻剂，其选择性地蚀刻包含比铜还贵的金属的贵金属层与铜层共存的被处理物的铜层，该蚀刻剂包含：铜离子、选自环内具有2个以上氮原子的杂环化合物及碳数8以下的含有氨基的化合物所构成群组中的一种以上的含氮化合物、聚烷二醇、以及卤离子；前述蚀刻剂含有0.0005重量％以上7重量％以下的聚烷二醇，且含有1ppm以上250ppm以下的卤离子。且含有1ppm以上250ppm以下的卤离子。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】蚀刻剂及电路基板的制造方法


[0001]本专利技术关于一种蚀刻剂及电路基板的制造方法。

技术介绍

[0002]传统作为形成电路基板的细微电路图形的方法，已知在绝缘树脂层的表面通过无电解电镀铜，形成种子层，在该种子层上设置电镀光阻，通过电解电镀铜，以形成电路，然后蚀刻除去残留在电路之间的基板上的种子层的半加成制程(SAP:Semi Additive Process)等。于该半加成制程，构成电路的铜电镀层的表面，实施了金、银、钯等的比铜还贵的金属(电离倾向小的金属)的电镀。因此，蚀刻除去种子层时，需要选择性地蚀刻种子层的铜(特别是无电解铜电镀层的铜)的蚀刻剂。
[0003]在不同种类的金属共存的基板上选择铜进行蚀刻的蚀刻剂，例如专利文献1(日本特开2012
‑
129304号)披露的蚀刻剂等。
[0004]另一方面，与比铜还贵的金属导通(电连接)的铜与蚀刻剂接触的情况，可能引发被称为电偶腐蚀(Galvanic corrosion)的现象。所谓电偶腐蚀是指电离倾向不同的2种金属放入电解液中时，因两金属形成局部电池，电离倾向大的金属有腐蚀的现象。如上述蚀刻铜与比铜还贵的金属共存的基板时，因电偶腐蚀而部分的铜恐会被过度蚀刻。抑制如此的电偶腐蚀的蚀刻剂，例如有专利文献2(WO2019/013160号)披露的蚀刻剂等。于专利文献2，记载如此的蚀刻剂对铜的选择蚀刻性优异，可以确实地抑制电偶腐蚀且蚀刻速度也优异。
[0005]但是，专利文献2记载的蚀刻剂，由于是在pH7.8至11的碱性蚀刻剂，对制造步骤的应用产生限制。因此，需要在更低的pH下也可以确实地抑制因电偶腐蚀等的部分的过度蚀刻且铜的选择蚀刻性优异的蚀刻剂。
[0006][现有技术文献][0007][专利文献][0008][专利文献1]日本特开2012
‑
129304号公报
[0009][专利文献2]国际公开WO2019/013160号公报。

技术实现思路

[0010][专利技术所欲解决的课题][0011]本专利技术是有鉴于前述的传统技术的问题点而完成，以提供在比较低的pH下也可抑制部分的过度蚀刻且铜的选择蚀刻性优异的蚀刻剂为课题。
[0012]而且，以提供在比较低的pH下抑制部分的过度蚀刻且可以选择性地蚀刻铜的电路基板的制造方法为课题。
[0013][解决课题的手段][0014]关于蚀刻剂的本专利技术，
[0015]其选择性地蚀刻包含比铜还贵的金属的贵金属层与铜层共存的被处理物的铜层；
[0016]该蚀刻剂包含：铜离子；
[0017]选自环内具有2个以上氮原子的杂环化合物及碳数8以下的含有氨基的化合物所构成群组中的一种以上的含氮化合物；
[0018]聚烷二醇；以及
[0019]卤离子；
[0020]前述蚀刻剂含有0.0005重量％以上7重量％以下的聚烷二醇；
[0021]且含有1ppm以上250ppm以下的卤离子。
[0022]本专利技术是前述卤离子可为选自氯化物离子及溴化物离子所构成群组中的至少一种。
[0023]本专利技术是pH可为6.0以上8.0以下。
[0024]本专利技术可包含0.5重量％以上10.0重量％以下的前述铜离子。
[0025]本专利技术可包含0.1重量％以上30.0重量％以下的前述含氮化合物。
[0026]本专利技术不包含有机酸或包含超过0重量％未达7重量％的有机酸。
[0027]本专利技术是前述含氮化合物可为咪唑类。
[0028]本专利技术是前述烷二醇可为聚乙二醇。
[0029]关于电路基板的制造方法的本专利技术，其使用前述任一项记载的蚀刻剂，通过选择性地蚀刻包含比铜还贵的金属的贵金属层与铜层共存的被处理物的铜层，以形成电路。
[0030]在关于电路基板的制造方法的本专利技术，前述贵金属层可为包含金的层。
[0031][专利技术的效果][0032]根据本专利技术，可提供在比较低的pH下也可以确实地抑制部分的过度蚀刻且铜的选择蚀刻性优异的蚀刻剂。
[0033]而且，可提供在比较低的pH下也可以确实地抑制部分的过度蚀刻且可以选择性地蚀刻铜的电路基板的制造方法。
附图说明
[0034]图1是表示电路基板的轮廓的部分剖面示意图。
[0035]图2是表示电路基板的轮廓的部分剖面示意图。
[0036]图3是用于说明侧蚀刻量的测量的示意图。
具体实施方式
[0037]以下，说明本专利技术的蚀刻剂及本专利技术的电路基板的制造方法(以下也有只称为制造方法)的实施方式。
[0038](蚀刻剂)
[0039]本实施方式的蚀刻剂选择性地蚀刻包含比铜还贵的金属的贵金属层与铜层共存的被处理物的铜层的蚀刻剂，蚀刻剂包含铜离子、选自环内具有2个以上氮原子的杂环化合物及碳数8以下的含有氨基的化合物所构成群组中的一种以上的含氮化合物、聚烷二醇以及卤离子，该蚀刻剂含有0.0005重量％以上7重量％以下的聚烷二醇，且含有1ppm以上250ppm以下的卤离子。
[0040]另外，本实施方式所谓“铜”是指纯铜及包含90重量％以上的铜合金。而且，本实施方式所谓“比铜还贵的金属”是指电离倾向比Cu小的金属。
[0041][铜离子][0042]本实施方式的蚀刻剂包含铜离子。铜离子，较优选为二价铜离子(Cu
2+
)。铜离子是由铜离子源供应到蚀刻剂中。铜离子是作为铜的氧化剂的成分。
[0043]供给铜离子的铜离子源，例如氢氧化铜、有机酸的铜络合物、碳酸铜、硫酸铜、氧化铜、氯化铜、溴化铜等的卤化铜、或后述含氮化合物的铜络合物等。
[0044]特别从提高蚀刻速度的观点，列举甲酸铜、乙酸铜、氯化铜、溴化铜等。
[0045]铜离子源可以单独使用这些或组合多种使用。
[0046]前述铜离子的含量从提高蚀刻速度的观点，列举例如以铜离子为0.5重量％以上10.0重量％以下或1.0重量％以上5.重量％以下。
[0047]铜离子源的含量可以适当地决定，以成为上述铜离子的含量。
[0048][含氮化合物][0049]本实施方式的蚀刻剂包含选自环内具有2个以上氮原子的杂环化合物(以下也有只称为杂环化合物)及碳数8以下的含有氨基的化合物(以下也有只称为含氨基化合物)所构成群组中的一种以上的含氮化合物(以下也有只称为含氮化合物)。含氮化合物是与溶解于蚀刻剂中的铜为络合物，被调配作为保持在蚀刻剂中的成分。
[0050]杂环化合物只要是环内具有2个以上的氮原子的杂环化合物，无特别限制，例如咪唑类、吡唑类、三唑类、四唑类及这些的衍生物等的唑类等。从与溶解的铜的络合物形成性的观点，较优选为咪唑、苯并咪唑等的咪唑类或吡唑等的吡唑类。具体地例如咪唑、2
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甲基咪唑、1,2
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二乙基咪唑、苯并咪唑、吡唑、三唑、苯并三唑等，特别是咪唑、2
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甲基咪唑、1,2
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二乙基咪唑、2<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种蚀刻剂，其选择性地蚀刻包含比铜还贵的金属的贵金属层与铜层共存的被处理物的铜层；该蚀刻剂包含：铜离子；选自环内具有2个以上氮原子的杂环化合物及碳数8以下的含有氨基的化合物所构成群组中的一种以上的含氮化合物；聚烷二醇；以及卤离子；前述蚀刻剂含有0.0005重量％以上7重量％以下的聚烷二醇，且含有1ppm以上250ppm以下的卤离子。2.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其中该卤离子为选自氯化物离子及溴化物离子所构成群组中的至少一种。3.根据权利要求1或2所述的蚀刻剂，其pH为6.0以上8.0以下。4.根据权利要求1至3中任一项所述的蚀刻剂，其包含0.5重量％以上10.0重量％以下的前述铜离子。...

【专利技术属性】
技术研发人员：福井优，秋山大作，中根大，西江健二，
申请(专利权)人：MEC株式会社，
类型：发明
国别省市：