半导体激光器高频封装用具有微带结构的热沉制造技术

技术编号:3727115 阅读:171 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种半导体激光器高频封装用的具有微带结构的热沉,其特征在于,其中包括:一热沉衬底;一地电极,该地电极蒸镀在热沉衬底的上表面;一电介质夹层,该电介质夹层制作在地电极上表面的一侧端;两金属导体条,该两金属导体条制作在电介质夹层的两侧,两金属导体条之间与地电极形成的凹槽被电介质夹层填充;一信号电极,该信号电极制作在电介质夹层的上表面;信号电极、金属导体条和地电极形成背地共面微带结构;一芯片,该芯片固定在地电极上表面的另一侧端,该芯片用导电金丝与信号电极连接。(*该技术在2024年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光电子器件领域,更具体的说是一种半导体激光器封装用的具有微带结构的热沉。
技术介绍
在目前光纤通信广泛使用的半导体激光器中,激光器管芯的特性决定了激光器器件和模块的潜在性能,但是在高频或高速调制下,激光器的管壳和封装的热沉会产生寄生效应,使得器件和模块性能的发挥由管壳和热沉决定。鉴于管壳,如TO封装座、蝶型封装座都有尺寸和材料标准,一般是考虑对激光器热沉进行优化设计,更好地解决管芯的散热和电极的连接问题,从而改善激光器高频性能。图1所示为现有的常用热沉结构示意图,图中1为热沉导热衬底;2为地电极;3为信号电极;4为激光器芯片;5为金丝。常用管芯有P、N上下两个不共面电极,热沉上对应有两个共面电极,通常是用金丝将非共面电极转成共面电极。这种共面电极形成的双线结构,对高频信号的传输能力较弱,而且由于跨接在非共面的芯片上电极和地电极之间的金丝较长,电感效应比较明显,其对调制信号影响较大,限制了器件整体性能的提高。
技术实现思路
为了改善传统的半导体激光器热沉在高频响应方面的不足,本专利技术的目的在于提供一种半导体激光器高频封装用的具有微带结构的热沉,使用该设计可以提高热沉传输本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体激光器高频封装用的具有微带结构的热沉,其特征在于,其中包括:一热沉衬底;一地电极,该地电极蒸镀在热沉衬底的上表面;一电介质夹层,该电介质夹层制作在地电极上表面的一侧端;两金属导体条,该两金属导体条制 作在电介质夹层的两侧,两金属导体条之间与地电极形成的凹槽被电介质夹层填充;一信号电极,该信号电极制作在电介质夹层的上表面;信号电极、金属导体条和地电极形成背地共面微带结构;一芯片,该芯片固定在地电极上表面的另一侧端,该芯片用 导电金丝与信号电极连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:张尚剑祝宁华
申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]

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