用于制造半导体器件的干净化装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种用于净化半导体衬底的表面的干净化装置，所述装置包括：室，包括第一壁和第二壁；支撑构件，包括晶片接收表面；净化构件，用于从放置在所述支撑构件上的衬底的表面去除颗粒；和载气供给构件，用于供给载气和将从所述衬底的表面分离的颗粒传输到所述室的外部，其中，所述室的第一壁包括设置面对所述晶片接收表面的第一部分和与所述第一部分相邻形成且设置来接收部分的载气供给构件的第二部分。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种用于制造半导体器件的装置，且更具体而言，涉及一种用于净化半导体晶片的表面的干净化装置。
技术介绍
用于半导体晶片表面的净化工艺去除当集成电路形成于半导体晶片上时所通常产生的残留化学品、小颗粒和污染物。使用化学溶剂的湿净化方法可以被用于净化晶片。湿净化方法包括例如通过化学反应从而在晶片上蚀刻或剥离污染物的化学处理工艺、使用去离子(DI)水清洗化学处理过的晶片的清洗工艺和干燥清洗后的晶片的干燥工艺。常规湿净化方法导致当干燥工艺不良地执行时通常在晶片上产生的水印。在耗时的常规的湿净化中，所使用的化学品可能污染环境。图1显示了常规的干净化装置9。干净化装置9包括设置于室900中用于支撑晶片W的支撑板920。净化构件(未示出)设置于室900中，以用于从晶片W的表面去除外来物质，比如颗粒。净化构件可以为用于将高压氮气注射到晶片W的喷嘴或用于在晶片表面上方产生冲击波的激光器。风扇过滤单元940设置于室900的上部分，以用于在室900中产生向上的气流。包括泵的排气构件960连接到室900的底部分。使用风扇过滤单元940和排气单元960，从晶片分离的外来物质比如颗粒P可以沿气流流动以从室900排出。因为晶片W的表面朝向上，从晶片W分开的某些颗粒P可以落回且被晶片W再次吸收。图3显示了在净化工艺之前和之后黏附于晶片W的颗粒P1和P2。由虚线代表的颗粒P1是在净化工艺之前黏附于晶片W的颗粒。由实线代表的颗粒P2是在净化工艺之后黏附于晶片W的颗粒。
技术实现思路
本专利技术的示范性实施例公开了一种最小化从晶片去除的颗粒的再次黏附的干净化装置。在本专利技术的示范性实施例中，用于净化半导体衬底的表面的干净化装置包括室，包括第一壁和第二壁；支撑构件，包括晶片接收表面；净化构件，用于从放置在支撑构件上的衬底的表面去除颗粒；和载气供给构件，用于供给载气和将从衬底的表面分开的颗粒传输到室的外部，其中第一壁包括设置面对晶片接收表面的第一部分和与第一部分相邻形成且设置来接收部分的载气供给构件的第二部分。在本专利技术的另一示范性实施例中，用于净化半导体衬底的表面的干净化装置包括室，所述室具有用于接收载气的气体流入部分、从气体流入部分延伸且用于从放置在支撑构件上的衬底的表面去除颗粒的工艺执行部分、和从工艺执行部分延伸且用于将载气传输到室外的气体流出部分，工艺执行部分的截面面积小于气体流入部分的截面面积。在本专利技术的又一实施例中，用于净化半导体衬底的表面的干净化装置包括室；用于支撑晶片的竖直放置的支撑构件；用于从放置在支撑构件上的晶片的表面去除颗粒的净化构件；和用于将载气供给到室中的载气供给构件。附图说明结合附图，从以下的描述，可以更加详细地理解本专利技术的优选实施例。图1显示了常规的干净化装置。图2显示了图1所示的在晶片上发生的颗粒再次吸收。图3显示了当使用图1所示的装置时在执行干净化工艺之前和之后在晶片表面上的颗粒。图4是根据本专利技术的实施例的干净化装置的横截面图。图5是根据本专利技术的另一实施例的干净化装置的横截面图。图6是根据本专利技术的又一实施例的干净化装置的横截面图。图7显示了图4所示的干净化装置的室中气流和外来物质流动路径的方向和速度。图8是根据本专利技术的再一实施例的干净化装置的横截面图。图9显示了从晶片表面去除外来物质的过程。图10是根据本专利技术的再一实施例的干净化装置的横截面图。图11是根据本专利技术的再一实施例的干净化装置的横截面图。图12是根据本专利技术的再一实施例的干净化装置的横截面图。图13是显示图12所示的干净化装置的室的内部配置的横截面图。图14显示了室中载气的气流方向和从晶片分离的外来颗粒的流动路径。图15是根据本专利技术的再一实施例的干净化装置的横截面图。图16是根据本专利技术的再一实施例的干净化装置的横截面图。图17是根据本专利技术的再一实施例的干净化装置的横截面图。图18显示了干净化装置的室中气流和外来物质流动路径的方向和速度。图19是根据本专利技术的再一实施例的干净化装置的横截面图。图20是根据本专利技术的再一实施例的干净化装置的横截面图。图21是根据本专利技术的实施例的支撑构件的透视图。图22是图21所示的支撑构件的侧视图。图23是包括多个净化装置的半导体制造设备的透视图。具体实施例方式将参考附图在以下详细描述本专利技术的优选实施例。本专利技术可以以许多不同的形式实现且不应解释为限于这里阐释的实施例。图4显示了根据本专利技术的实施例的干净化装置1。该干净化装置1包括室100、支撑构件200、净化构件300、和载气供给构件400。在室100中执行了干净化工艺。晶片W设置于室100中的支撑构件200上。净化构件300用于从晶片W的表面去除比如颗粒P、残留物、或外来物质的污染物。从晶片W的表面分离的颗粒P通过从载气供给构件400供给的载气被排出到室100的外部。支撑构件200设置于或接近室100的中心，且包括用于容纳晶片W的支撑板220和用于旋转和/或提升支撑板220的驱动构件240。支撑板220包括平表面且为圆形状的。支撑板220利用例如真空吸附或机械夹持来固定晶片W。或者，支撑板220利用静电力固定晶片W。载气供给构件400设置于室100的一个侧壁。排气构件500设置于室100的另一侧壁。在示范性实施例中，载气供给构件400可以为包括例如风扇420和过滤器440的风扇过滤单元。利用风扇420，将载气从外部供给到室100中。所供给的载气被过滤器440过滤。在室100中，载气沿晶片W的顶表面从一侧流到另一侧。即，载气在室100中水平流动。载气可以为干空气、氮气、惰性气体或干冰。净化构件300包括配置用于将高压净化气体注射到晶片W上的喷嘴。净化气体可以例如为氮气或惰性气体，用于使对在晶片W上形成的图案的影响最小化。该影响可以为例如形成自然氧化层(native oxide layer)。净化构件300是杆状喷嘴。净化构件300的长度相似于或长于晶片W的直径。净化构件300设置于室100中来基本垂直于载气的流动方向。多个注射孔302形成于净化构件300且以规则的间隔分开。净化构件300牢固地设置于室100的内侧壁，且驱动构件240向上提升支撑板220来接近净化喷嘴300。驱动构件240可以包括例如圆柱或马达(未示出)。根据本专利技术的实施例，支撑板220可以被固定，且净化构件300可以在载气流动方向移动。根据本专利技术的实施例，净化构件可以是图5所示的激光构件300’。激光构件300’将激光束辐射到晶片W的表面上来产生冲击波来去除黏附于晶片W的表面的颗粒P。或者，激光构件300’可以直接将激光束辐射到晶片W的表面来去除颗粒P。当将激光束直接辐射到晶片W上时，驱动构件240向上提升支撑构件220且旋转支撑板220。参考图5，室100包括气体流入部分124、工艺执行部分122和气体流出部分126。工艺执行部分122设置于或接近室100的中心，在那里设置有支撑构件220。气体流入部分124是在工艺执行部分122和室100的侧壁之间的空间，在那里设置有气体供给构件400。气体流出部分126是工艺执行部分122和室100的侧壁之间的空间，在那里设置有排气构件500。根据本专利技术的实施例，载气从气体流入部分124流到工艺执行部分122，再流到气体流出部分126。通过净化构件300从晶片本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于净化半导体衬底的表面的干净化装置，包括：室，包括第一壁和第二壁；支撑构件，包括晶片接收表面；净化构件，用于从放置在所述支撑构件上的衬底的表面去除颗粒；和载气供给构件，用于供给载气和将从所述衬底的表面分离的颗粒传输到所述室的外部，其中，所述室的第一壁包括设置面对所述晶片接收表面的第一部分和与所述第一部分相邻形成且设置来接收部分的所述载气供给构件的第二部分。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李尚彦，李善鎔，河商录，许东澈，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]