【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：半导体衬底，在其表面上具有元件区；形成于所述元件区中的电气元件；形成在所述半导体衬底上和覆盖所述电气元件的绝缘层；以及形成在所述绝缘层上和与所述元件区交叠的电感器。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：村松良德，中柴康隆，
申请(专利权)人：恩益禧电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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