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一种半导体器件，包括：半导体衬底，在其表面上具有元件区；形成于所述元件区中的电气元件；形成在所述半导体衬底上和覆盖所述电气元件的绝缘层；以及形成在所述绝缘层上和与所述元件区交叠的电感器。...
该专利属于恩益禧电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过恩益禧电子股份有限公司授权不得商用。

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