【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种激光器，尤指一种以导线架分离方式进行绝缘的半导体激光器的封装结构。传统的半导体激光器的封装结构中，是以金属封装方式最常见，如图7所示，为习用的半导体激光器的分解立体示意图，其是以铜外表镀金作为基材81，并于基材81前端黏合以硅化物制成的二次平台82，再于二次平台82黏合金属基座83，而金属基座83上则设有激光晶片84，再以具有窗口85的金属盖86加以封装。由于此种半导体激光器封装的成本极高，且于制造过程中，该基材81与第一、第二接脚87、88的结合处又须以玻璃纤维作成绝缘体89，而玻璃纤维必须在摄氏1800℃以上才能产生熔化状态，制作难度高，成本不易降低。为了改善前述传统的半导体激光器制造成本的问题，有人专利技术了如图8所示的另一种半导体激光器封装方式，其是于电路板91上结合有作为正极的导电片92，再于导电片92上结合基座93。基座93上亦设有激光晶片94，该基座93后侧设有底部绝缘的负极导电片95。该负极导电片95与激光晶片94之间以一导线96相连接，负极导电片95的底部设有绝缘层97，该负极导电片95后端又以一负极导线98穿过电路板91，再...
【技术保护点】
一种半导体激光器的封装结构，其特征在于，其具有一金属正极导线架，该正极导线架具有一第一接脚，该第一接脚上结合一金属基座，该基座上结合一激光晶片，该正极导线架的一侧具有一负极导线架，该负极导线架的后端具有一第二接脚，负极导线架与正极导线架之间具有一预定间距，该负极导线架上连接一导线的一端，该导线的另一端则连接至该激光晶片上，使该激光晶片分别与电源连接，该正极导线架与负极导线架与基座相结合，激光晶片及导线一端的外侧包覆着一透明的外罩。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赵俊祥，萧大川，
申请(专利权)人：赵俊祥，萧大川，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]
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