【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体激光器之类的半导体器件的制造方法，特别是涉及在半导体晶片上制作了多个半导体器件之后，可以以高精度切下各个器件的。在制备半导体激光器之类的半导体器件时，一般说，多个半导体器件制作在由一片半导体晶片形成的衬底上，制作完毕之后，用划片机在晶片上划上刻痕作为标记。然后沿着刻痕切开晶片，使各个半导体器件互相分开。然而，在常规的半导体器件中，有的半导体激光器具有例如特开平6-338657号公报中所述的窗口构造。若采用这种窗口构造，由于使半导体激光器的谐振腔端面近旁的能带间隙能量的能带宽度展宽的窗口层形成于激光器的端面上，故可以抑制激光器端面对自射光的吸收。因此，采用具有窗口构造的半导体激光器可以防止在谐振腔端部处的光学损伤或破坏，可以提高临界光功率。这样的窗口层，可以采用在形成了用于制作半导体激光器的叠层结构后在规定的部位处形成用于制作窗口层的U形槽，然后用窗口材料填平该U形槽的办法形成。在窗口层形成之后，沿着在该U形槽的纵向上对该窗口层进行分割的面切开用于制作半导体激光器的叠层结构。在切开叠层结构之前，虽然其上有由用上述划片机形成的划痕构成的标记，...
【技术保护点】
一种用于切割制作在一个半导体衬底上的多个半导体器件的半导体器件制造方法，其特征在于包括下列步骤：在所述半导体衬底上用于制作半导体器件的区域之外形成作为切割标记的刻蚀槽。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：后藤修，山田光志，八重浩树，堀川英明，
申请(专利权)人：冲电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。