具有碳掺杂接触层的光学器件制造技术

本发明专利技术涉及一种光学器件及其制造方法，其中减轻了包层（１５）和波导区（１４）中的Ｚｎ迁移带来的问题。接触区（１６）包含碳，碳用作三元半导体材料中的ｐ型掺杂剂。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体光学器件，包括激光器、电吸收调制器和探测器。目前，电吸收调制激光器(EML)在高速光学系统上的应用深受关注。这类器件通常包括在一个衬底上形成的半导体激光器和调制器。这些器件通常包括半导体多量子阱(MQW)激活区、在其上形成的利于与激活层电接触的接触层、用来将电流导向激活区的电流阻挡层以及将光约束在激活区的包层。Zn是用于阻挡层、接触层和包层的常用p型掺杂剂，激光器和调制器的性能主要取决于器件各层中的Zn含量。为了获得最佳性能，层结构中需要保持一定的Zn掺杂剂分布图。但是，在由于Zn掺杂剂从接触层迁移以造成接触层生长时，阻挡层和包层中的Zn分布图会被改变。解决这个问题的方法之一是减小包层、阻挡层和接触层中的Zn含量。然而，这种方法还会对其它器件性能如器件总电阻造成不良影响。因此，需要提供一种可以减轻光学器件中的Zn迁移带来的问题的方法及由该方法获得的器件。根据本专利技术的第一方面提供一种光器件，包括半导体波导区(可以包含激活区)、与波导区相邻接地形成的具有包含Zn的掺杂剂的包层区以及接触区。接触区选自材料InGaAs和InGaAsP，并在波导区上形成。接触区具本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光学器件（１０），包括半导体波导区（１４），以及与波导区相邻接地形成的具有包含Ｚｎ的掺杂剂的包层区（１５），其特征在于：在波导区上形成选自ＩｎＧａＡｓ和ＩｎＧａＡｓＰ的半导体接触区（１６），该接触区具有用来提供足够的导电性的包含碳的 ｐ型掺杂剂，以使其与波导区低电阻接触。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：乌特帕尔库马尔沙克拉巴蒂，罗伯特阿兰哈姆，约瑟夫布莱恩希勒，格莱伯E史坦格尔，劳伦斯埃德温斯密斯，
申请(专利权)人：朗迅科技公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]