半导体激光器的制造方法技术

在自对准结构半导体激光器中分别在有源层２５的两面设置一对光导层２３和２８，光导层的带隙比有源层２５宽；形成一对覆层２２，２９，能使有源层２５和光导层２３、２８夹在其间，覆层的带隙比光导层２３和２８的宽；一对载流子阻断层２４，２６分别设置在有源层２５和光导层２３、２８之间，载流子阻断层的带隙比有源层２５和光导层２３、２８的带隙宽；使有带状窗口的电流阻断层２７嵌入至少一个光导层２３和２８中，电流阻断层２７通过选择生长而形成。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种能够以大输出功率工作的，它最好应用于通信，激光医疗，激光束加工，激光打印机及类似的领域中。图6是具有分别密封异质结构的自对准结构半导体激光器(下文中，这种激光器被称之为SCH-SAS LD)的一个例子的结构示图。该激光器发表于IEEE JournalQuantum.Electronics，卷29，第6期(1993)1889-1993页上。参见图6，在n-GaAs衬底1上依次地形成n-Al GaAs覆层2,GaAs/Al GaAs量子阱有源层5,P-Al GaAs覆层9和P-GaAs接触层10。n-Al GaAs的电流阻断层7嵌入在覆层a内。在图6所示的自对准结构的半导体激光器中，嵌入了电流阻断层7，该电流阻断层具有一带状窗口，其带隙比覆层9的带隙宽，也就是说，其折射率小于覆层的折射率。因此，在平行于量子阱有源层5的方向(横向)还形成了折射率差异，以便激光还能在带的水平方向上被限制。从而，就能获得二维有效折射率结构。日本未经审查的专利公开JP-A62-73687(1987)公开了一种自对准结构的半导体激光器，其中上、下覆层分别设置在有源层的两面，电流阻断层设置在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种自对准结构的半导体激光器的制造方法，它包括： 分别在有源层（２５）的两面提供一对覆层（２２，２９），覆层的带隙比有源层（２５）的宽； 使具有带状窗口的电流阻断层（２７）嵌入在至少一个覆层中， 其中电流阻断层通过选择生长而形成。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：藤本毅，内藤由美，大久保敦，山田义和，
申请(专利权)人：三井化学株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]